JEDEC組織今天正式釋出了新一代高帶寬記憶體HBM3的标準規範，編号JESD238。
HBM3标準繼續在存儲密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個層面進行擴充更新，具體包括：
－ 傳輸資料率在HBM2基礎上再次翻番，每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps，配合1024-bit位寬，單顆最高帶寬可達819GB/s。
如果使用四顆，總帶寬就是3.2TB/s，六顆則可達4.8TB/s。
－ 獨立通道數從8個翻番到16個，再加上虛拟通道(pseudo channel)，單顆支援32通道。
－ 支援4/8/12-high TSV矽穿孔堆棧，未來會拓展到16-high——可以了解為4-16顆内部堆疊。
－ 每個存儲層容量8/16/32Gb，單顆容量起步4GB(8Gb 4-high)、最大容量64GB(32Gb 16-high)。
－支援平台級RAS可靠性，內建ECC校驗糾錯，支援實時錯誤報告與透明度。
－ 提升能效，主接口使用0.4V低擺幅調制，運作電壓降低至1.1V。
NVIDIA、SK海力士、美光、Synopsys等企業都第一時間表達了對HBM3記憶體的支援。
早在去年8月，SK海力士就提前釋出了首批HBM3産品，單顆容量16/24GB，12-high堆疊，帶寬初期819GB/s，最近更是提升到了896GB/s。
SK海力士首發的HBM3
HBM2e