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對于Ugs越大，Ron越小，不是很了解，查閱資料後記錄如下，仍以NMOS管舉例。
一、導電溝道的形成
NMOS管内部結構圖如下，導電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結，在Ugs=0時，漏極和源極之間無電流（PN結擊穿情況等不考慮）。
NMOS管内部結構圖
Ugs > 0時，金屬闆的負電荷被電源正極吸引，金屬闆剩下正電荷。由于同性相斥，靠近絕緣層一側的空穴被排斥，剩下不多的負電荷，形成了耗盡層。當Ugs繼續增大，襯底的自由電子被吸引到耗盡層和絕緣層之間，形成反型層，這個反型層就構成了漏極---源極之間的導電溝道。溝道剛形成的電壓叫做Ugs(th)，Ugs越大，溝道越厚，導電溝道電阻越小。
二、溝道越厚，導電溝道電阻越小
電阻對電荷的移動具有阻礙作用。導電溝道越厚，代表流經的電荷越多，阻礙的作用越小，由此Ugs越大，導電溝道越小。
三、補充。
前面說到負電荷的移動是被正極的吸引，比如在電容充電時，極闆一端的電子被正極吸引，負極放出電子到極闆的另一端。根據這個對下面這個電路有了新的了解。
上面R12的作用是分壓、限流。對于限流來說，若沒有R12，U6導通後栅極相當于接地，有大量的電子移動到栅極，會損壞U6。若加了R12阻礙部分電子的移動。加R12後，正極對于源極和栅極中的電子吸引程度是不同的。
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