閃存，ROM，Nor Flash，NAND Flash

實體結構分類

ROM 固定ROM 可程式設計ROM 可擦除可程式設計ROM EPROM EEPROM Flash Memory NOR Flash NAND Flash 3D NAND Flash

固定ROM,隻讀存儲器

特點

制造前就設計好，制造後無法改變結構和存儲資料

結構一

門電路組成的位址譯碼器和半導體二極管（作為受控開關）

結構二

用半導體作為受控開關元件

組成ttl或cmos型rom

PROM 可程式設計ROM

特點

隻能程式設計一次

結構

仍然用半導體二極管或半導體作為受控開關元件，不同的是再等效開關電路中傳接了一個熔絲，沒有程式設計前都是連通狀态，都儲存1。程式設計時用工具将熔絲熔斷，該儲存單元就改寫為0

可擦除可程式設計ROM

分類

• EPROM，紫外線擦除方式
• EEPROM，電擦除可程式設計方式
• Flash Memory，快閃存儲器

下面講Flash Memory

大部分引用 wiki閃存

• 知識儲備

引用百度随機存取

所謂“随機存取”，指的是當存儲器中的資料被讀取或寫入時，所需要的時間與這段資訊所在的位置或所寫入的

靜态随機存取存儲器

靜态随機存取存儲器

位置無關。相對的，讀取或寫入順序通路（Sequential Access）儲存設備中的資訊時，其所需要的時間與位置就會有關系。

• 曆史（挑重點）

閃存（無論是NOR型或NAND型）是舛岡富士雄博士1980年申請了一個叫做simultaneously erasable EEPROM的專利。

NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的定址與資料總線，并允許随機存取存儲器上的任何區域，這使的它非常适合取代老式的ROM晶片。

舛岡富士雄沒有停止追求，在1986年發明了NAND Flash，大大降低了制造成本。NAND Flash具有較快的抹寫時間，而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash的I/O接口并沒有随機存取外部位址總線，它必須以區塊性的方式進行讀取，NAND Flash典型的區塊大小是數百至數千比特。

因為多數微處理器與微控制器要求位元組等級的随機存取，是以NAND Flash不适合取代那些用以裝載程式的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像CD光牒、硬碟這類的次級儲存設備。NAND Flash非常适合用于儲存卡之類的大量儲存設備。第一款建立在NAND Flash基礎上的可移除式存儲媒體是SmartMedia，此後許多存儲媒體也跟着采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。

瞎bb

剩下的知識有限，正在學習。下面的目标是存儲單元電位階數劃分，就是SLC,MLC,TLC,QLC，好像是用不同電壓儲存多個值，具體的再看看。再看看主要，緩存啥的。

還有再看看emmc，ufs這些，搜到了不少資料

https://mobile.pconline.com.cn/913/9130147.html

https://zhuanlan.zhihu.com/p/26551438