前言
當今手機已成為我們日常生活中不可或缺的一部分。然而，随着手機性能的不斷增強，耗電量與日俱增，電池容量也不斷增長，這使得快速、高效的充電技術變得尤為重要。氮化镓作為第三代半導體材料，擁有高頻、高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率以及耐高溫等卓越特性能，成為适合高溫、高頻、大功率場景的理想材料，可用于替代矽MOS來設計研發更緊湊、更輕薄的手機快充擴充卡。同時在汽車電子和工業電子領域，氮化镓都以其卓越的性能赢得了業界的廣泛認可。
而英諾賽科作為本土首屈一指的第三代半導體企業，在功率器件領域展現出卓越的洞察力和前瞻性，成立之初便以IDM模式專注與矽基氮化镓産品研發，提前把握市場先機，并于2017年成功研發8英寸氮化镓矽基氮化镓晶圓，成為全球首個擁有8英寸矽基氮化镓量産線的公司。經過多年潛心研發，英諾賽科成為業界少數覆寫集晶圓、分立器件、合封晶片三大類的高新技術企業，目前在消費電子、工控、儲能等多個領域均能看到英諾賽科的身影，安克、華碩、努比亞、OPPO、vivo、聯想、倍思、綠聯、閃極等知名品牌都是公司的客戶。
小米插座、筆電标配快充産品采用英諾賽科氮化镓晶片
英諾賽科在消費電子領域展現出卓越的創新能力和市場前瞻性，針對手機快充領域推出INN700TK240B、INN700D240B、INN700D140C三款InnoGaN産品，相較于矽MOS，天生具備低導通電阻、封裝寄生參數小、超快開關速度、無反向恢複等諸多優點，滿足各大手機品牌私有快充協定高壓、高電流的輸出需求。充電頭網最近了解到，這三款氮化镓晶片已經成功導入小米旗下插座、筆電快充産品供應鍊。
小米67W氮化镓快充插座Pro采用InnoGaN
小米近期發售的這款67W氮化镓快充插座Pro搭載了英諾賽科新一代700V氮化镓晶片INN700TK240B。
INN700TK240B晶片采用TO252封裝，具有700V的高耐壓和240mΩ的超低導阻。與前代産品相比，這款晶片在耐壓、散熱性能、效率和功率密度等方面均有顯著提升。在氮化镓技術的加持下，30分鐘即可為小米14充至75%電量，小米67W 氮化镓快充插座Pro實作了體積更小，能效更高的優勢。
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小米Redmi Book Pro 15标配100W快充内置InnoGaN
小米Redmi Book Pro 15标配的100W電源擴充卡采用了英諾賽科氮化镓晶片INN700D240B。
INN700D240B晶片同樣具備700V高耐壓以及240mΩ的超低導阻，該晶片采用市面主流DFN 8×8封裝，其超小體積的優勢能夠使充電器更加小巧便攜，其高效率和高功率密度的氮化镓性能，助力擴充卡支援百瓦快充輸出，35分鐘即可充至50% 電量，支援長達12小時的本地視訊播放，為筆記本電腦迅速補充電量提供保障。
小米Redmi Book Pro 16标配140W 疾速充
近期小米釋出的Redmi Book Pro 16标配了一款全新的140W氮化镓充電器，支援PD3.0 100W快充以及20V 7A小米私有快充協定。
這款标配的140W充電器同樣采用了英諾賽科氮化镓晶片INN700D140C，該晶片采用DFN 8×8封裝，具備700V高耐壓以及140mΩ超低導阻，開關頻率更高，助力産品支援20V7A大電流私有快充。與Redmi Book Pro15标配快充相比，輸出功率從100W提升到140W，真正實作了疾速快充。
充電頭網總結
英諾賽科是全球領先的第三代半導體高新技術企業，緻力于矽基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研發與制造。擁有全球最大規模的8英寸矽基氮化镓晶圓生産基地，目前産能15000片/月，産品設計及性能處于國際先進水準。英諾賽科提供從15V-1200V的高、中、低壓全功率氮化镓産品，涵蓋晶圓、分立器件、合封産品三大品類，并為客戶提供全氮化镓方案設計參考。自2015年成立至今，英諾賽科已獲專利近700項。産品可廣泛應用于消費電子、資料中心、汽車電子及新能源等前沿領域。
英諾賽科，用氮化镓打造綠色高效新世界！