三星24年蟬聯DRAM存儲器市占率第一 SK海力士/美光難超越

三星電子（samsung electronics）連續24年蟬聯全球dram存儲器半導體市占率第一，為半導體産業寫下新曆史；2015年市占率達45.3%，營收突破200億美元，不但重新整理自身紀錄，也成為存儲器價格持續下跌聲中，唯一還能獲利的業者。

據韓媒money today報導，市調機構ihs資料顯示，2015年三星dram營收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長9.5%，首次突破200億美元。雖然全球dram市場規模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營收卻逆勢成長。

從整年度的市占率來看，三星占45.3%創下曆史新高；排名第二的sk海力士（sk hynix）為27.7%，營收124.89億美元，較2014年126.66億美元減少，但市占率微幅增加。第三名美光（micron）的營收滑落到90.70億美元，市占率也從24.6%下降到20%。

三星電子在1992年開發出64mb dram之後，連續24年蟬聯dram半導體全球市占率第一。三星能穩坐龍頭地位的關鍵，在于擁有競争對手難以超越的技術差距，這也是半導體市場價格持續滑落，三星仍能維持獲利的原因。

三星緻力于突破微細制程的瓶頸，率先進入10納米級dram量産，欲以領先的技術競争力掌握市場。繼成功開發18納米dram之後，下一個目标是開發10納米前段（1z）的dram技術。

業界人士表示，2015年三星采用20納米微細制程，成功銷售許多高附加價值産品。由于能生産競争者做不到的高性能産品，即便市場情況不佳，這類産品仍能維持一定價格，受影響程度相對較小。

與dram同屬存儲器半導體的nand flash市場情況類似。三星借由高速、低耗電的垂直構造v nand技術，成為2015年第4季唯一nand flash營業額逆勢成長的業者。

相較于競争者才剛進入21納米量産，準備提高21納米量産比重，主力産品仍停留在25~30納米階段，日前三星證明已啟動18納米8gb ddr4 dram量産。是以業界認為，三星與對手的技術差距已經拉開至2年以上，在市場上一枝獨秀的情況可望延續至2016年。

三星計劃在2016年要将10納米級技術用于大部分dram産品，并且加速研發10納米中段（1y）與10納米前段（1z）的新一代dram技術。半導體事業負責人金奇南表示，有信心成功開發10納米前段的dram技術。

三星在半導體市場占有的優勢，對南韓的經濟發展也有很大貢獻。2015年南韓半導體的出口規模為629.16億美元，占整體出口（5，267.57億美元）比重的11.9%。

雖然南韓的整體出口規模萎縮，但半導體類别不減反增，寫下出口規模新高，是也2001年之後，存儲器類别占整體出口比重最高的一次。

本文轉自d1net（轉載）