闪存，ROM，Nor Flash，NAND Flash

物理结构分类

ROM 固定ROM 可编程ROM 可擦除可编程ROM EPROM EEPROM Flash Memory NOR Flash NAND Flash 3D NAND Flash

固定ROM,只读存储器

特点

制造前就设计好，制造后无法改变结构和存储数据

结构一

门电路组成的地址译码器和半导体二极管（作为受控开关）

结构二

用晶体管作为受控开关元件

组成ttl或cmos型rom

PROM 可编程ROM

特点

只能编程一次

结构

仍然用半导体二极管或晶体管作为受控开关元件，不同的是再等效开关电路中传接了一个熔丝，没有编程前都是连通状态，都储存1。编程时用工具将熔丝熔断，该储存单元就改写为0

可擦除可编程ROM

分类

• EPROM，紫外线擦除方式
• EEPROM，电擦除可编程方式
• Flash Memory，快闪存储器

下面讲Flash Memory

大部分引用 wiki闪存

• 知识储备

引用百度随机存取

所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的

静态随机存取存储器

静态随机存取存储器

位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。

• 历史（挑重点）

闪存（无论是NOR型或NAND型）是舛冈富士雄博士1980年申请了一个叫做simultaneously erasable EEPROM的专利。

NOR Flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的定址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。

舛冈富士雄没有停止追求，在1986年发明了NAND Flash，大大降低了制造成本。NAND Flash具有较快的抹写时间，而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash的I/O接口并没有随机存取外部地址总线，它必须以区块性的方式进行读取，NAND Flash典型的区块大小是数百至数千比特。

因为多数微处理器与微控制器要求字节等级的随机存取，所以NAND Flash不适合取代那些用以装载程序的ROM。从这样的角度看来，NAND Flash比较像光盘、硬盘这类的次级存储设备。NAND Flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备。第一款创建在NAND Flash基础上的可移除式存储媒体是SmartMedia，此后许多存储媒体也跟着采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick与xD卡。

瞎bb

剩下的知识有限，正在学习。下面的目标是存储单元电位阶数划分，就是SLC,MLC,TLC,QLC，好像是用不同电压储存多个值，具体的再看看。再看看主控，缓存啥的。

还有再看看emmc，ufs这些，搜到了不少资料

https://mobile.pconline.com.cn/913/9130147.html

https://zhuanlan.zhihu.com/p/26551438