非晶薄膜的纳米晶有何用途？对于光学传感研究有何用意？如何可以证明？
硒化铟 (In 2 Se 3 ) 是一种半导体硫族化物材料，属于 A 2 III B 3 VI族，结晶为 Se-In-Se-In-Se 原子，通过 Se 沿 c 轴堆叠成双层。由于其独特的物理特性，它也是最受欢迎的材料，二维 (2D) 材料导致各种潜在的电子和光电设备，例如太阳能电池、光探测器 、相变存储器、气体检测器以及铁电场效应晶体管。
有一种直接带隙材料展示了光伏和光电子，以及巨大的潜在应用。In 2 Se 3薄膜对太阳能电池具有潜在的关注，并作为 CuInSe 2的前体进行了研究，CuInSe 2 是一种光学记录介质 、线性偏振辐射传感器 、宽带光辐射转换器 、肖特基二极管、纳米电子设备以及光电化学电池 。
这些薄膜还可用于处理锂，作为电流源，以及在可见电磁波谱中工作的光电探测器 。 含有 III-VI 的二元化合物的相图很复杂，其晶胞单元的尺寸很大。由于三价和二价原子以多种高能方式相互作用以满足键合要求，因此相图变得模糊。
由于结构堆叠有不同的图案，In 2 Se 3是一种多晶型、复杂的结晶硫属元素化物，与许多金属硫属元素化物一样。迄今为止，已经发现了五个稳定的环境压力相，包括α、β、δ、κ相和缺陷纤锌矿相，使其具有1.3至1.9eV的宽能隙范围。
β相和γ相应该在 200–730 °C 的高度升高的温度范围内共存。因此，具有 Se-In-Se-In-Se 层组成的β -In 2 Se 3具有非常小的 0.46 eV 间接带隙，这被认为是一种有趣的中红外光电探测器构件。另一方面，有序缺陷γ -In 2 Se 3化合物具有更宽的带隙直接为 1.86 eV，增加了其可见性并允许其用于电气应用。
因此，除了开发成功的单相 In 2 Se 3合成工艺之外，还必须做出许多努力。取决于沉积方法和生长参数[18 ], In 2 Se 3薄膜可以形成多种相。
已经发现制备方法可以影响相的类型。衬底在外延生长过程中起着特别重要的作用，例如取向控制器、掺杂源。In 2 Se 3薄膜在结构和光学特性方面尚未得到充分研究。因此，该分析的重点是纳米结构 In 2 Se 3的晶体和形态结构。还考虑了纳米晶 In 2 Se 3薄膜的线性和非线性光学特性。为完成研究目标，In 2构建Se 3 /p-Si结杂化体系并在光作用下进行检测。
样品的微观结构和化学含量使用连接到透射电子显微镜的 EDX 检测器或能量色散 X 射线单元测定。数据经过 Zaf 校正工具处理，从光谱中获得完整的定量分析结果。表1显示了所获得的In 2 Se 3的构成元素的百分比。结果表明 In 2 Se 3具有良好的化学计量，并且还证实了所研究的成分中不存在缺陷元素的可能性。
粉末形式 的In 2 Se 3的X射线粉末衍射、XRD图如图1所示。该图案包含多个不同强度的衍射峰，表明In 2 Se 3粉末为α相多晶，与卡号6的六方相一致。00-034-1279。Fullprof Suite 应用程序用于分析基于 Rietveld 方法并考虑伪 Voigt 函数的In 2 Se 3 的晶胞特性。分析证实 In 2 Se 3lattice 具有空间群 p63/mmcc (194) 的六角形，具有晶格参数；一 = b = 4.025AoAo, c = 19.235AoAo, V = 269.8699AØ 3Ao3个，α =β=90 °，γ =120 °。
结论：
利用 XRD 技术研究 In 2 Se 3薄膜的结晶特性表明该粉末是多晶的，具有六方晶系和 α 相。基于 Williamson-Hall 显示，获得了平均微晶尺寸、微应变和位错密度，发现它们分别为 273.6 nm、4.9 × 10 –3和 1.34 × 10 –5 m -2。吸收边分析表明跃迁类型是直接允许的，能隙为2.25 eV。Wemple-DiDominco 关系用于构建单个振荡器模型，并且发现计算的色散参数具有可比性。
检测到高强度峰 χ( 1 )χ(1个)在 1.87 eV。在黑暗和光照条件下使用J-V方法研究了In 2 Se 3 /p-Si 异质结的电学性质。根据电学实验，异质结表现出良好的整流特性，并且对光照的影响很敏感。基于In 2 Se 3的异质结方法显示了指数陷阱分布，其后很大程度上依赖于绝缘体中陷阱的存在。光电流瞬态特性验证了对光的快速响应和光电探测器应用的适用性。
