做嵌入式系统软件开发，经常在代码中看到各种各样的对齐，很多时候我们都是知其然不知其所以然，知道要做好各种对齐，但是不明白为什么要对齐，不对齐会有哪些后果，这篇文章大概总结了内存对齐的理由。
CPU体系结构和MMU的要求
- 目前有一些RISC指令集的CPU不支持非对齐的内存变量访问操作，比如 MIPS/PowerPC/某些DSP等等，如果发生非对齐的内存访问，会产生unaligned exception 异常。
- ARM指令集是从ARMv6（ARM11）开始支持非对齐内存访问的，以前老一点的ARM9的CPU也是不支持非对齐访问的。ARM指令集支持的部分特性迭代如下：
- 尽管现代的ARMv7 ARMv8 指令集的Cortex-AXX系列CPU都支持非对齐内存访问，但是考虑到如下图所示现代SOC芯片里面多种异构CPU协调工作的情况，主CPU用于跑Linux/Android操作系统的ARM64可以支持非对齐内存访问，但是SOC里面还有其它不知道体系结构和版本的协CPU（可能是MIPS， ARM7，Cortex-R/M系列， 甚至51单片机核）.
- 这些协CPU都和主ARM64主CPU共享物理内存的不同地址段，并且有自己的固件程序在内存上运行，所以在划分地址空间的时候还是要注意内存对齐的问题，尤其是考虑到这些协CPU可能不支持非对齐访问，同样在编写协CPU固件程序的时候，也要清晰认识到该CPU是否支持非对齐内存访问。
- 同样在ARM的MMU虚拟地址管理中，也有内存地址对齐的要求，下图是ARM的MMU的工作原理和多级页表（Translation Tables）的索引关系图
- ARM体系架构的MMU要求
- arm 32位体系结构要求L1第一级页表基地址（The L1 Translation Table Base Addr）对齐到16KB的地址边界，L2第二级页表地址（The L2 Translation Table Add）对齐到1KB的地址边界。
- ARM 64位体系结构要求虚拟地址的第21-28位VA[28：21]对齐到64 KB granule， 第16到20位VA[20：16]对齐到4 KB granule。
- ARM 的Memory ordering特性中的不同Memory types对非对齐内存访问的支持的要求是不同的。下图是ARM Memory ordering特性中三种不同的Memory types访问规则
- 只有Normal Memory是支持非对齐内存访问的
- Strongly-ordered 和 Device Memory不支持非对齐内存访问
对原子操作的影响
尽管现代的ARMv7 ARMv8 指令集的ARM CPU支持非对齐内存访问，但是非对齐内存访问是无法保证操作的原子性。下图分别是一个变量在内存对齐和非对齐的时候的内存布局:
- 内存对齐的变量访问，使用单个通用的CPU寄存器暂存，一个内存对齐的变量的读写操作能保证是单次原子操作.
- 非对齐的变量的内存访问是非原子操作，他们通常情况下访问一个非对齐的内存中的变量需要2次分别的对内存进行访问，因而不能保证原子性，一旦发生2次分别内存访问，2次分别的访问中间就有可能被异步事件打断，造成变量改变，因而不能保证原子性。
ARM NEON的要求
现代ARM CPU一般都有一个NEON的协处理器，一般用在浮点计算中用来做SIMD并行矢量加速计算。下图是NEON SIMD并行矢量计算的基本原理图：
- NEON本身是支持非对齐内存访问的
- 但是NEON访问非对齐的内存一般会有2个指令周期的时间penalty
- 通常情况下，为了灵活应用NEON的并行计算特性，在做SIMD并行矢量加速运算时，我们要根据NEON寄存器的Lane的位数对齐相应的变量。如果是配置成8-bits的计算，就做8-bits对齐，如果是16-bits计算，就做16-bits对齐，以此类推，NEON的并行矢量计算的lane根据spec手册，有各种灵活配置的方法。
对性能perf的影响
- 通常而言，尽管现代的ARM CPU已经支持非对齐内存的访问，但是ARM访问非对齐的内存地址还是会造成明显的性能下降。因为访问一个非对齐的内存，需要增加多次load/store内存变量次数，进而增加了程序运行的指令周期
- 才有perf工具进行性能分析，能看到非对齐内存访问的性能下降，在perf工具中有一个alignment-faults的事件，可以观察程序访问非对齐内存的事件统计
cache line 对齐
除了通常所讲的根据CPU访问内存的地址位数的内存对齐之外，在程序优化的时候，还要考虑到缓存存在的情况，根据缓存行的长度来对齐你的访问变量。
- cache和cache line的结构原理图如下（其中图2从该文章引用自： cenalulu），cache line是cache和内存进行数据传输的最小单位，一般cache都是以cache line的长度一次读写内存中的映射地址。
- 在ARM 系列的CPU中，不同型号的ARM CPU的cache line长度是不一样的，因此同样是基于ARM平台的CPU，从A平台移植优化过的程序到B平台时，一定要注意不同CPU的cache line大小是否一致，是否要重新调整cache line对齐优化。
- 下图是ARMv7几款公版CPU的cache line的资料手册，ARMv8 64位的公版CPU（A53， A57， A72， A73）目前的cache line大小都是64 bytes， 但是各家公司基于公版ARM的定制版CPU的缓存行大小可能有差异，一定要参考相关TRM手册进行调整、对齐、优化.
- 下图是一个例子关于未做cache line对齐的情况下，进行内存读写性能抖动的例子，引用自cenalulu.测试代码如下 程序的大意，对不同大小的数组进行1亿次读写操作，统计不同数组大小时的读写时间。
- 从测试的结果可以看出，当数组大小小于cache line size时，读写时间基本变化不大，当数组大小刚刚超过cache line size的时候，读写时间发生了剧烈的抖动。
- 这是因为超过cache line 大小的数组元素可能没有提前预读到cache line中，在访问完cache line中的数组元素之后，要重新从内存读取数据，刷新cache line，因而产生了性能抖动。通过这个例子告诉我们，充分利用系统缓存特性，根据cache line对齐你的数据，保证程序访问的局部数据都在一个cache line中可以提升系统性能。
- 没有对齐到同一个cache line中的变量，在多核SMP系统中，cross cache line操作是非原子操作，存在篡改的风险。该例子引用自kongfy） 测试代码如下， 程序大意是，系统CPU的cache line是64字节，一个68字节的结构体struct data， 其中前面填充60字节的pad[15]数组，最后一个8字节的变量v， 这样结构体大小超过了64字节，最后一个变量v的前后部分可定不在同一个cache line中，整个结构体没法根据cache line对齐。
- 全局变量value.v初始值是0， 程序开多线程，对全局变量value.v进行多次~位取反操作，直觉上最后结果value.v的位结果不是全0就是全1，但是最后value.v的位结果居然是一半1一半0， 这就是由于交叉缓存行操作是非原子性的，导致一个线程对value.v前半部分取反的时候，另外的线程对后半部分在另一个缓存行同时取反，然后前一个线程再对另一个缓存行的value.v后半部分取反，导致和直觉不一致。
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