氮化镓功率器件的推出，首先應用在快充充電器上。氮化镓快速開關的優勢，提高了充電器的開關頻率，減小變壓器體積，并降低器件的散熱需求，進而顯著縮小了充電器的體積，使充電器具備更大的輸出功率，更多的輸出接口，深受消費者的喜愛。
英諾賽科在推出高壓GaN器件并獲得廣泛應用以後，瞄準低壓市場發力，推出了INN040W040A低壓氮化镓器件，其具有40V耐壓，導阻僅為4mΩ，具備氮化镓無反向恢複的優勢，栅極電荷僅為同規格矽MOS的二分之一不到，能夠降低控制器驅動壓力，縮短死區時間。并支援更高的開關頻率，減小電路體積并提高轉換效率。
對于車充市場來說，支援百瓦大功率輸出的車充很少，具備65-100W大功率輸出的車充，可以提供等同于裝置原裝快速充電器的理想充電效果。但受限于矽MOS的實體性能，頻率低，損耗大，相關的産品很少，售價也較高。英諾賽科推出的低壓氮化镓器件，可以在車充和筆記本電腦應用中取代傳統矽MOS，在提升轉換效率的同時，提高功率密度，縮小體積，滿足更多需求。
英諾賽科推出了一款使用低壓氮化镓器件的同步升降壓參考設計，其支援12-24V輸入電壓範圍，輸出支援3.3-19.2V，支援150W輸出功率，滿足百瓦大功率車充，筆記本内置充電，大功率快充移動電源應用。氮化镓高頻優勢可以運作在1.2MHz頻率上，減小電感和濾波電容體積，滿足小體積與超薄設計，為産品提供更強的競争力。
英諾賽科150W氮化镓升降壓參考設計解析
英諾賽科推出的150W氮化镓升降壓參考設計采用南芯SC8886S同步升降壓控制器，驅動四顆英諾賽科INN040W040A組成的H橋，用于同步升降壓電壓轉換。PCB闆中間是一顆2.2μH合金電感，輸入輸出使用多顆0805封裝MLCC進行濾波。
背面隻有少量阻容分立元件和兩顆二極管。
參考設計一覽，其中輸入和直流輸出焊接接線柱，電池輸出未使用，頂部焊盤為電壓測試點。
四顆英諾賽科的氮化镓開關管一字排開組成H橋，晶片邊緣大面積過孔通過PCB輔助散熱。INN040W040A采用CSP封裝，散熱性能好，封裝面積小。
同步升降壓控制器采用南芯SC8886S，是國内首款支援NVDC的同步升降壓充電晶片，支援5-24V輸入電壓，支援1-4串锂電池充電，充電輸出電流可達8A，支援I2C數字通信。SC8886S内置8路10位ADC，支援詳盡的系統參數采集。
升降壓電感使用一顆10*10mm尺寸，2.2μH電感。氮化镓低開關損耗的優勢，支援高開關頻率，高開關頻率可以使用小感量的電感，降低電感銅損，提高轉換效率。
輸入側多顆MLCC并聯濾波。
輸出側同樣采用多顆MLCC進行濾波。
用于控制電池的BAT FET，由南芯SC8886S控制。
I2C接口排針特寫，通過I2C接口配置參數。
英諾賽科150W氮化镓升降壓參考設計測試
使用24V輸入模拟車充實際使用環境，将參考設計開關頻率設定為600KHz，輸出電壓選擇5、9、12、15、20V五檔PD快充電壓，随着輸出壓差的減小，效率提升。對于20V5A，100W輸出時，轉換效率高達98%，也就是說在參考設計上的功耗僅為2W，大幅簡化大功率車充的散熱設計。
在12V輸入環境下，對應12V和15V的輸出效率最高，非常适合PPS手機快充。在12V輸入下，對應20V5A輸出的升壓效率仍然達到了97%。氮化镓的應用，對于轉換效率提升非常明顯。
充電頭網總結
目前市面上許多便攜充電裝置的内部設計都十分緊湊，對應的供電器件面積也越來越小。在傳統的矽器件上使用高頻驅動，開關損耗會顯著降低效率，阻礙功率提升。而低壓氮化镓器件的應用，解決了效率下降的難題，并且還可以将頻率進一步提升，使用更小的電感，減小占闆面積。
英諾賽科低壓氮化镓器件不僅能夠在同步升降壓中應用，邏輯電壓驅動的栅極，還可以用于同步升壓，同步降壓及锂電池保護應用等。在開關電路中充分發揮氮化镓導阻低，開關速度快的優勢，提高頻率降低損耗，提供更高效，更具有競争力的終端解決方案，支援更加個性化的設計，同時也為碳中和、碳減排做出貢獻。