IC封裝基闆或稱IC載闆，主要是作為IC載體，并提供晶片與PCB之間的訊号互聯，散熱通道，晶片保護。是封裝中的關鍵部件，占封裝工藝成本的35～55%。IC基闆工藝的基本材料包括銅箔，樹脂基闆、幹膜(固态光阻劑)、濕膜(液态光阻劑)、及金屬材料(銅、鎳、金鹽)等，工藝與PCB相似，但其布線密度線寬線距、層間對位精度及材料的靠性均比PCB高。
IC封裝基闆發展可分為三個階段：第一階段， 1989-1999，初期發展。以日本搶先占領了世界IC封裝基闆絕大多數市場為特點；第二階段， 2000-2003 快速發展。台灣、南韓封裝基闆業開始興起，與日本形成“三足鼎立”；第三階段， 2004年起，此階段以FC封裝基闆高速發展為鮮明特點。
全球IC基闆生産以日本為主，産值占60%，包括第一大廠IBIDEN、SHINKO、NGK、Kyocera、Eastern等；台灣廠商位居第二、占30%，包括NanYa、Unimicron、Kinsus、ASE等；南韓則以SEMCO、Deaduck、LG為主要生産者。基闆依其材質可分為BT(BismaleimideTriacine)和ABF(AjinnomotoBuild-up Film)兩種。BT材質含玻纖，CTE小，不易熱脹冷縮，材質硬、線路粗。主要用于手持裝置、通信裝置和存儲；ABF材質線路較精密，導電性好、為Intel主導使用，廣泛用于PC産品。生産BT基材(wire bond)主要為日商MitsubishiGasChemical(三菱瓦斯化學)、Hitachi Chemical(日立化成)各占全球市場50%、40%。 ABF基材，日本Ajinomoto(味之素)是唯一供應商。
基闆結構：
疊層結構，由不同厚度的材料堆疊而成，有導電材料和非導電材料；過孔，用于連接配接不同層信号的孔。結構包含Via Hole(鑽孔)、Via Land(孔環)、Hole Wall(孔壁)、Hole Cap(鑽孔封帽)、Plugging Ink(塞孔油墨)等；表面處理(Surface Treatment)，EG(電鍍金)、Ni thickness(鎳層厚度)、Au thickness(金層厚度)等……
基闆加工涉及的主要問題：
Layer structure capability(疊層結構能力)，Trace/Pattern capability(圖形/走線能力)，Fingerpitch capability(金手指間距能力)，CF/SM registration capability(阻焊加工能力)Drill capability(鑽孔能力)，Surface treatment(表面處理)，Dimension tolerance capability(尺寸公差控制能力)……
基闆線路制作工藝：
減成工藝(Subtractive Process)：全面電鍍(PanelPlating)，圖形電鍍(PatternPlating)，混合電鍍(Panel-PatternPlating)。
加成工藝(Additive Process)：全加成(Full Additive )，半加成(Semi-Additive)，部分加成(Partial Additive)。
通過下面幾種常見的載闆制作流程，大家可以對載闆工藝有個大概了解。由于載闆加工工藝流程複雜，隻對其主要步驟進行了羅列，不明之處可以到微信群——“IC封裝設計”中去交流。對于加工步驟的詳細解釋說明，可以部分參考《IC封裝基礎與工程設計執行個體》第5章的内容。
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