在正式开始之前，先做一下风险提示：
本文所有内容均是产业研究和公司研究的案例，不构成任何投资建议，不构成任何投资推荐。另外还有三点值得注意：
1.短期价格波动几乎不可预测。但巨大利益驱使下市场上会充斥神预测。
2.再好的生意，如果基本条件发生大的变化以及幸存者偏差普遍存在的情况下，也有失败的风险。
3.估值过高的好公司，随着流动性收紧，如果利润增长没有达到预期，也有可能长期回调。
半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，是诸多电子产品的核心部件。半导体行业是支撑经济社会发展、保障国家安全的战略性、基础性、先导性产业，其下游是移动通信、计算机、汽车电子、医疗电子、工业电子、人工智能、航空航天等行业。
半导体硅片是半导体器件的主要载体。硅片是半导体产业的上游原料，下游产业通过对硅片 进行光刻、刻蚀、离子注入等加工，可将硅片制成各类半导体器件用于后续加工，如集成电 路、二极管、功率器件等。硅片作为半导体材料绝缘性好，制成的半导体器件稳定性高，因而已被半导体产业所广泛使用。 据 SEMI 统计，2020 年全球晶圆制造材料市场总额达 349 亿美元。其中，硅片和硅基材料的销售额占比达到 36.64%，销售额约为 128 亿元。半导体硅片在晶圆制造材料市场中占比最高，是半导体制造的核心材料。
1.分类
在集成电路制造中所使用的晶圆均为单晶硅片，可以分为抛光片、外延片、绝缘体上硅SOI三大类。
外延片是半导体材料的一种，是在衬底上做好外延层的硅片。外延生长（通常亦简称外延） 是半导体材料和器件制造的重要工艺之一。外延片决定器件约70%的性能，是半导体芯片的重要原材料。
外延生长就是在一定条件下，在经过仔细制备的单品衬底上，沿着原来的结晶方向生长出一层导电类型电阻率、 厚度和晶格结构、完整性等都符合要求的新单晶层的工艺过程，所生长的单晶层称为外延层。目前市场保有量较大的外延片为GaAs、GaN和SiC外延片。
只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长及外延生长。在电阻极低的衬底上生长一层高电阻率外延层，器件制作在外延层上，这样高电阻率的外延层保证了管子有高的击穿电压，而低电阻的衬底又降低了基片的电阻，从而降低了饱和压降，从而解决了二者的矛盾。 此外，GaAs等Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族以及其他分子化合物半导体材料的气相外延、液相外延等外延技术也都得到很大的发展，已成为绝大多数书微波器件、光电器件、功率器件等制作不可缺少的工艺技术，特别是分子束、金属有机气相外延技术在薄层、超晶格、量子阱、应变超晶格、原子级薄层外延方面的成功应用，为半导体研究的新领域“能带工程”的开拓打下了夯实的基础。
外延层与基板可以是相同物质，也可以是不同物质，称前者为同质外延（homoepitaxy），后者为异质外延（heteroepitaxy）。按原料物质的供应方式不同，有气相外延、液相外延、固相外延之分，在气相外延中又有化学生长法和物理生长法。下图表示外延（epitaxy）技术的分类。
SOI（绝缘体上硅）：绝缘体上硅又称 SOI，是一种新型结构的硅材料。SOI呈三明治结构，最上面是顶层硅，中间是掩埋氧化层（BOX），下方是硅衬底。制备 SOI 的技术主要有注氧隔离（SIMOX）、键合减薄（BESOI）和智能剥离（Smart-Cut）等，当前最主流的技术是智能剥离。
SOI 的优势有很多，包括速度高、功耗低、成本低、抗辐照特性好等。其中，SOI 最为重要的优势在于，它可以通过氧化层实现高电绝缘性，进而大大减少硅片的寄生电容以及漏电现象。随着半导体制程工艺不断演进，SOI 方案的优势逐渐凸显。
2.市场情况
据 Marketsand Markets 预估，SOI市场在2017至 2022 年期间平均复合成长率将达 29.1％，2022 年市场价值将有望达到 18.6 亿美元。
全球的硅片供应商主要是日本信越和SUMCO、中国台湾的环球晶圆、德国的Silitrnic以及韩国的LG，这五大供应商的市场份额合计高达92%以上。近年来随着大陆多个晶圆硅片厂相继投产，国内硅片的供需缺口不断缩小，也推动着国内半导体产业链的发展。
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