國内8英寸SiC晶圓量産難點：
1.高溫工藝關乎着SiC的良率，這也是各大SiC廠商所着力研發的關鍵環節之一，而除了與矽晶圓在生産工藝上有所差異以外，在SiC從6英寸向8英寸發展的過程中也存在着一些差異。
2.在功率半導體制造的離子注入、薄膜沉積、媒體刻蝕、金屬化等環節，8英寸碳化矽與6英寸SiC的差距不大。
3.8英寸SiC的制造難點主要集中在襯底生長、襯底切割加工、氧化工藝，其中，襯底生長方面，擴徑到8英寸，對襯底生長的難度會成倍增加;襯底切割加工方面，越大尺寸的襯底切割應力、翹曲的問題越顯著。
4.氧化工藝一直是碳化矽工藝中的核心難點，8英寸、6英寸對氣流和溫場的控制有不同需求，工藝需各自獨立開發。
5.目前碳化矽産業以6英寸為主流，占據近80%市場佔有率，8英寸則不到1%，若達到成熟階段，8英寸單片的售價約為6英寸的1.5倍，且8英寸能夠生産的晶粒數約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓使用率會顯著提高。#晶圓ic# #半導體晶圓# #半導體材料刻蝕# #中國晶圓# #揭示晶片門道# #晶片技術的進步# #晶片制造水準# #探讨半導體發展# #高端晶片制造# #探索晶片的未來#
