(本文是2018年“藍火計劃”的調研報告,有修改)
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非諧聲子模拟方法(Normal Mode Decomposition)
引言固體中的格波由互相獨立的簡正模式組成。簡正模式的量子稱為聲子,利用聲子的概念可以有效地描述晶格振動。聲子會影響固體的各種性質,包括鐵電、超導、熱電、熱導等,這些宏觀性質對材料在工業中的應用非常重要。簡諧近似可以很好地描述低溫下聲子的行為,但是在高溫下聲子非諧效應的影響會增大。是以,研究聲子的非諧效應,無論是理論上還是應用上都有非常重要的意義。
現在,計算簡諧聲子譜的技術已經非常成熟,但是非諧聲子的計算仍在發展當中。該方向的研究是目前凝聚态領域的一個熱點,目前影響較大的方法包括自洽第一性原理晶格動力學(self-consistent ab initio lattice dynamics, SCAILD)、随機自洽簡諧近似(stochastic self-consistent harmonic approximation, SSCHA)、溫度依賴有效勢(temperature-dependent effective potential, TDEP)以及Normal Mode Decomposition方法。
本文使用密度泛函理論(Density functional theory, DFT)和經典力場(Tersoff勢)進行了矽的分子動力學模拟,再通過速度自相關函數(Velocity autocorrelation function, VACF)得到倒空間中各點上不同簡正模的本征值及線寬,研究了聲子非諧效應導緻的頻率變化與溫度的關系。
理論方法與模拟實作簡諧近似下,體系的哈密頓量是原子相對于平衡位置的偏移矢量的函數,并且具有諧振子的形式。下面說明速度自相關函數與諧振子頻率的聯系。
速度自相關函數的形式如下:
其中
是每個原子在時刻的速度。對于最簡單的一維諧振子:
我們可以解出
時刻下的位置和動量和初始值
的關系:
在分子動力學中,模拟時間趨于無窮時,微觀量的時間平均等于系綜平均,則在正則系綜下一維諧振子的速度自相關函數為:
可以看出,速度自相關函數的頻率和諧振子相同,是以它可以反映振動的所有性質。
如果要分析聲子在倒空間的色散,需要把速度投影到不同的倒格矢。此外,對于晶胞含有個N原子的固體,共有3N個簡正模式,總的速度自相關函數是各個簡正模速度自相關函數的疊加。為了把它們分離開,需要将速度分解到相應的本征矢上。在倒格矢
,簡正模
上的速度分量及相應的自相關函數表達式為:
其中
是相應的本征矢。
對速度自相關函數作傅裡葉變換可以得到相應的頻譜,就是聲子的态密度。在簡諧近似下,某一倒格矢上的頻譜是多個
函數的疊加。但是在分子模拟時,原子間的互相作用必然是非諧的,是以頻譜上的峰會有寬度。這種情況表示聲子之間會發生散射,線寬與聲子壽命相關,并且可與實驗結果比較。
用分子動力學計算聲子的流程是:首先計算簡諧聲子譜,得到各簡正模的本征矢;然後進行分子動力學模拟,得到不同k點上各支聲子對應的速度自相關函數,作傅裡葉變換得到頻譜;最後用尋峰算法分析出頻譜中峰的位置,即各支聲子的本征值,這樣就可以得到某一溫度下的非諧聲子譜。
計算細節本文研究了矽的聲子非諧作用,計算模型是金剛石型的矽,空間群為Fd-3m ,單胞含有8個原子,晶格常數為5.45埃.我們用DFT與Tersoff勢兩種方法計算矽的能量和原子受力,相應的軟體為VASP和LAMMPS. 計算簡諧聲子譜時使用Phonopy,超胞為2x2x2。分子動力學模拟同樣使用的超胞,系綜為NVT,溫度選取為200K, 400K, 600K, 800K, 1000K.DFT計算選取步長為2fs,步數10000,Tersoff勢模拟步長為1fs,步數200000.分析聲子非諧效應使用DynaPhoPy.
結果與讨論圖1 (a)(b)200K下的DFT聲子譜,(c)(d)1000K下的DFT聲子譜。藍色為簡諧聲子譜,紅色陰影代表相應聲子的線寬。
首先比較不同溫度下的聲子譜。
圖1展示了200K和1000K下DFT計算出的聲子譜,并與簡諧聲子譜作了對比。可以看出,200K的聲子色散于簡諧聲子非常接近,聲子線寬也很小。1000K下聲子的非諧效應則變得非常明顯,各支聲子都出現了軟化的現象,聲子的展寬也更為明顯。
圖2 (a)(b)200K下的Tersoff聲子譜,(c)(d)1000K下的Tersoff聲子譜。藍色為簡諧聲子譜,紅色陰影代表相應聲子的線寬。
圖2展示了Tersoff勢的計算結果,聲子譜随溫度增大的變化趨勢與DFT的結果一緻,但是Tersoff勢的頻率變化更大,聲子線寬較小。
我們還計算了不同溫度下
點的長光學橫波(LTO)的頻率變化和聲子線寬,見圖3和圖4。無論是DFT還是Tersoff勢,LTO的頻率都随溫度升高而減小,這說明高溫使得聲子非諧效應變得更加明顯。
圖3 不同溫度下LTO模在
點相對簡諧聲子的頻率變化(縱軸标簽有誤,應是Frequency shift)
圖4 不同溫度下LTO模在
點的聲子線寬
圖4展示了溫度對LTO模線寬的影響,并與實驗結果進行了對比。計算得到的聲子線寬與溫度成正比,趨勢與實驗一緻。DFT是第一性原理計算方法,精度比Tersoff勢要高很多,但是在此處的表現不如Tersoff勢。這是因為DFT計算耗時很多,難以進行長時間的DFT分子動力學模拟,導緻聲子線寬偏大。Tersoff勢的結果與實驗值符合得很好,說明了它能正确地描述固體矽中的原子互相作用。
上述的Normal Mode Decomposition方法将分子動力學的原子速度投影到不同的簡正模上。分子動力學軌迹包含了各階微擾的影響,是以這種方法可以準确地計算出有限溫下的聲子頻率位移以及線寬。但是這種方法也存在一些缺點。首先,要使計算結果收斂,需要進行長時間的模拟,這對第一性原理分子動力學是一個很大的挑戰。其次,簡正模由簡諧聲子計算得到,而在高溫下,用簡諧聲子模式投影可能不是最好的選擇。
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