根据CASA数据预测，SiC衬底和外延随着产业技术逐步成熟（良率提升）和产能扩张（供给提升），预计衬底价格将以每年8%的速度下降。
SiC衬底及外延片价格
SiC衬底价格发展趋势（RMB/cm²）
6寸导电型碳化硅村底价格随良率提升而逐年降低，2022-25年价格分别为6600/6300/6000/5500元/片。
2022年6寸半绝缘型碳化硅衬底价格约7000元/片，2025年有望降低到6000元/片。
SiC 衬底、器件、外延片市场规模预测
SiC外延片国产率低的主要原因：
- 进口外延炉供货短缺
- 国产外延炉有待验证
- 外延片量产质量不稳定（浓度、厚度一致性），难量产
碳化硅外延片价格发展趋势(RMB/cm^2)
国内外SiC衬底份额现状
SiC设备、制造现状
SiC长晶：工艺难点在于温度控制，热场材料仍依赖进口
SiC长晶：工艺难点在于温度控制，热场材料仍依赖进口
SiC外延炉：CVD成本适中&质量好&生长速度快，是主流外延技术
SiC外延炉：CVD成本适中&质量好&生长速度快，是主流外延技术
SiC划片：SiC晶圆硬度高、脆性大、韧性低，传统晶圆机械切割容易造成较多缺陷。基本采用激光切割划片
SiC切片：未来金刚线切割和激光切割将替代砂浆线成为主流技术
未来金刚线切割和激光切割将替代砂浆线成为主流技术
其它SiC设备
其它SiC设备还包括研磨、抛光、改质、切片、氧化退火、减薄等很多设备，这里不一一列举。