在一個N型半導體摻雜兩個高濃度的P型半導體,引出G極,在N型半導體兩端各自引出一個電極,一個D,一個S。
結型場效應管不能跨越正負,當N溝道型的時候,Ugs不能大于0.而耗盡層MOS管可以。
結型 的Ugs大于0,PN結會導通,不可以。
由于結型的GS端PN結反偏,輸入電阻也很高。最多有一點漏電流。
任務:
1.3.4 半導體主要參數
1.3.5 溫度對半導體的影響
1.3.6 光電三極管
作業:
1.9
1.12
1.15
1.16
在一個N型半導體摻雜兩個高濃度的P型半導體,引出G極,在N型半導體兩端各自引出一個電極,一個D,一個S。
結型場效應管不能跨越正負,當N溝道型的時候,Ugs不能大于0.而耗盡層MOS管可以。
結型 的Ugs大于0,PN結會導通,不可以。
由于結型的GS端PN結反偏,輸入電阻也很高。最多有一點漏電流。
任務:
1.3.4 半導體主要參數
1.3.5 溫度對半導體的影響
1.3.6 光電三極管
作業:
1.9
1.12
1.15
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