PMOS:
NMOS:
NMOS是栅極高電平（VGS > Vt）導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。
PMOS是栅極低電平（VGS < Vt）導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。
G:栅極，S源極，D漏極（類比：三極管：b基極，e發射極，c集電極）
PMOS的特性是當Vgs的值小于一定的值時管子就會導通，适合源極接VCC的情況。下面是增強型PMOS工作特性曲線：
由圖可知，Vgs越大，允許的漏極電流越大。管子工作包含四個區：可變電阻區，恒流區，擊穿區，截止區，如下圖所示：
其中恒流區又叫做飽和區，管子正常工作就在這個區。有兩個圖可知，當Vgs的絕對值高于4V時管子截止，低于這個值時管子導通。IRF9540N的這個門限值導通值在-2~-4之間，Vgs隻有高于4V管子才能截止。但是我做的系統中電源電壓在4V以下，是以這個管子其實是不能用的。
KUI 20170520