MOS管符号
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中的絕緣栅型。是以，MOS管有時被稱為絕緣栅場效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關電路。
MOS管的構造
在一塊摻雜濃度較低的P型半導體矽襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分别作為漏極D和源極S。然後在漏極和源極之間的P型半導體表面涵蓋一層很薄的二氧化矽（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為栅極G。這就構成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的栅極和其它電極間是絕緣的。圖1-1所示 A 、B分别是它的結構圖和代表符号。
同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導體矽襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區，及上述相同的栅極制作過程，就制成為一個P溝道（PNP型）增強型MOS管。圖1-2所示A 、B分别是P溝道MOS管道結構圖和代表符号。
MOS管的工作原理
從圖1-3-A可以看出，增強型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個背靠背的PN結。當栅-源電壓VGS=0時，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個PN結處于反偏狀态，漏-源極間沒有導電溝道（沒有電流流過），是以這時漏極電流ID=0。
此時若在栅-源極間加上正向電壓，圖1-3-B所示，即VGS＞0，則栅極和矽襯底之間的SiO2絕緣層中便産生一個栅極指向P型矽襯底的電場，由于氧化物層是絕緣的，栅極所加電壓VGS無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個電容，VGS等效是對這個電容充電，并形成一個電場，随着VGS逐漸升高，受栅極正電壓的吸引，在這個電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個從漏極到源極的N型導電溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VT（一般約為 2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID，我們把開始形成溝道時的栅-源極電壓稱為開啟電壓，一般用VT表示。控制栅極電壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點，是以也稱之為場效應管。
MOS管的電壓極性和符号規則
圖1-4-A 是N溝道MOS管的符号，圖中D是漏極，S是源極，G是栅極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向裡表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。
在實際MOS管生産的過程中襯底在出廠前就和源極連接配接，是以在符号的規則中；表示襯底的箭頭也必須和源極相連接配接，以差別漏極和源極。圖1-5-A是P溝道MOS管的符号。
MOS管應用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負極，栅極G正電壓時導電溝道建立，N溝道MOS管開始工作,如圖1-4-B所示。同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負極，源極S接正極，栅極G負電壓時，導電溝道建立，P溝道MOS管開始工作,如圖1-5-B所示。