STM32存儲器

STM32 存儲器

一.存儲器

1.RAM，ROM，FLASH

ROM(Read Only Memory)隻讀存儲器和RAM(Random Access Memory)随機存儲器都是半導體存儲器。ROM 掉電不丢失，RAM 掉電丢失。

RAM

RAM分為兩大類，一種是靜态RAM(Static RAM 即SRAM),另一種是動态RAM(Dynamic RAM,即DRAM)。 SRAM，所謂“靜态”是指隻要不掉電，存儲在SRAM中的資料就不會丢失。SRAM是目前為止讀寫最快的儲存設備，它經常被用在CPU的一級緩沖，二級緩沖。價格昂貴。DRAM,保留資料時間很短，速度比SRAM慢，但是要比ROM快。DRAM分為很多種，常見的有FPRAM/FashPAGE,EDORAM,SDRAM,DDR RAM,RDRAM,SGRAM以及WRAM等。

DDR RAM(Date - Rate RAM)也被稱作為DDR SDRAM,這種改進型的RAM 和SDRAM不同之處在于它可以一個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使資料傳輸的速度加倍了。目前電腦用的最多的記憶體就是DDR RAM，許多高端的顯示卡中也配有DDR RAM 來提高帶寬。

ROM

ROM可以分為PROM,EPROM,EEPROM。PROM是一次性的，也就是軟體灌入之後無法修改了，現在已經被淘汰了。Eprom是一種通用的存儲器，它是通過紫外線的照射來擦出的。E2PROM 是通過電子擦出的，但寫入時間很慢。

Flash

Flash存儲器又稱為閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可程式設計（EEPROM）的性能，還不會斷電丢失資料同時可以快速讀取資料（NVRAM的優勢），U盤和MP3就是用的這種存儲器。近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式中的地位，用作存儲Bootloader 以及作業系統或者程式代碼或者直接當作硬碟使用。

目前Flash主要分為兩種NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash資料線和位址線分開的，可以實作ram一樣的随機尋址功能，可以讀取任何一個位元組，但是擦除仍要按塊來擦。NAND Flash 同樣是按塊來擦除，但是資料線和位址線複用，不能利用位址線随機尋址。讀取隻能按頁來讀取。（nandflash安塊來擦除，按頁來讀，norflash沒有頁）由于nandflash引腳上複用，是以讀取速度比nor flash慢一點兒，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash内部電路更簡單，是以資料密度大，體積小，成本也低。是以大容量的都是nand flash。小容量的2-12M的多是nor flash。使用壽命上，nand flash的擦除次數是nor的數倍。而且nand flash可以标記壞塊，進而使軟體跳過壞塊。nor flash一旦損壞便無法再用。因為nor flash可以進行位元組尋址，是以在nor flash中運作。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導碼，用一個大容量的nand flash 存放檔案系統和核心。 Flash 和 EEPROM 的差別： EEPROM的擦除是以位元組為機關的，他可以往每一個bit中寫入0或者1。但是這樣做電路設計複雜，成本高。是以目前的EEPROM都是十幾千位元組到幾百千位元組，絕少有超過512K的。 Flash是在EEPROM之後發展而來的，它做的改進是在擦除時不再以位元組為機關，而是以塊為機關，這樣簡化了電路，資料密度更高，降低了成本。在STM32可以用flash模拟eeprom用來儲存少量資料如藍牙link key等！