一、前言
什麼GD32？
GD32是國内開發的一款單片機，據說開發的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32作為模闆做出來的。
是以GD32和STM32有很多地方都是一樣的，不過GD32畢竟是不同的産品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發的東西還是有差別的。相同的地方我們就不說了，下面我給大家講一下不同的地方。
二、差別
1、核心
GD32采用二代的M3核心，STM32主要采用一代M3核心，下圖是ARM公司的M3核心勘誤表，GD使用的核心隻有752419這一個BUG。
2、主頻
使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M
使用HSI(高速内部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M
主頻大意味着單片機代碼運作的速度會更快，項目中如果需要進行刷屏，開方運算，電機控制等操作，GD是一個不錯的選擇。
3、供電
外部供電：GD32外部供電範圍是2.63.6V，STM32外部供電範圍是23.6V。GD的供電範圍比STM32相對要窄一點。
核心電壓：GD32核心電壓是1.2V，STM32核心電壓是1.8V。GD的核心電壓比STM32的核心電壓要低，是以GD的晶片在運作的時候運作功耗更低。
4、Flash差異
GD32的Flash是自主研發的，和STM32的不一樣。
GD Flash執行速度：GD32 Flash中程式執行為0等待周期。
STM32 Flash執行速度：ST系統頻率不通路flash等待時間關系：0等待周期，當0<SYSCLK<24MHz，1等待周期，當24MHz<SYSCLK≤48MHz，2等待周期，當48MHz<SYSCLK≤72MHz。
Flash擦除時間：GD擦除的時間要久一點，官方給出的資料是這樣的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms， 實際測量60ms 左右。對應的ST 産品Page Erase 典型值 20~40ms。
5、功耗
從下面的表可以看出GD的産品在相同主頻情況下，GD的運作功耗比STM32小，但是在相同的設定下GD的停機模式、待機模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
6、序列槽
GD在連續發送資料的時候每兩個位元組之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有，如下圖。
GD的序列槽在發送的時候停止位隻有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
GD 和STM32 USART的這兩個差異對通信基本沒有影響，隻是GD的通信時間會加長一點。
7、ADC差異
GD的輸入阻抗和采樣時間的設定和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關系：
8、FSMC
STM32隻有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
9、103系列RAM&FLASH大小差别
GD103系列和ST103系列的ram和flash對比如下圖：
10、105&107系列STM32和GD的差别
GD的105/107的選擇比ST的多很多，具體見下表：
11、抗幹擾能力
關于這一點，官方沒有給出，我也是在做項目的時候偶然發現的，項目原本是用STM32F103C8T6，後來換成GD F103C8T6，這兩個晶片的引腳完全一緻，然後單片機用了的兩個鄰近的引腳作為SPI的時鐘引腳和資料輸出引腳，然後發現STM32的SPI能正常通訊，GD的不行，經過檢查發現PCB闆SPI的銅線背面有兩根IIC的銅線經過，信号應該是受到影響了。
用示波器看了一下引腳的電平，發現确實是，STM32和GD的資料引腳波形都不正常，但是STM32的波形要好很多，波形雖然差了點，但是SPI通訊依然正常。
而GD則不能正常通訊了。然後我又把SPI的通訊速率減慢，發現STM32的資料引腳很快就恢複正常波形了，而GD的依然差，直到速率降到很低才恢複正常。初步懷疑是STM32内部對引腳有做一些濾波的電路，而GD則沒有。
雖然我用的這個電路闆本身布線有些不合理，但是在同樣惡劣的環境下，STM32依然保證了通訊的正常，而GD不行，這在一定程度上說明了GD的抗幹擾能力不如STM32。