三星年底量産64層堆棧3D閃存：西安是主産地

在前幾天釋出的初期财報資料中，三星q3季度雖然面臨營收下滑5%的困境，但盈利同比增長6%，這次移動部門是沒啥指望了，讓三星大賺特賺的是半導體，不斷漲價的記憶體、閃存就是大功臣。今年智能手機記憶體、閃存容量不斷增加，導緻市場供應吃緊進而漲價，三星也瞅準了機會在年底量産第四代v-nand閃存，64層堆棧，屆時南韓的華城、中國的西安工廠都将是主産地。

　　▲中國西安的三星工廠也将是未來64層堆棧3d閃存的主産地

在3d閃存方面，三星的v-nand閃存量産時間最早，領先sk hynix、東芝、美光、intel至少兩年時間，現在已經發展到了第三代，堆棧層數48層，而美光、intel、sk hynix等公司的3d閃存不過24、36層堆棧，東芝閃迪系的bics閃存起點很高，直接上48層堆棧，但量産時間要等到明年。

今年8月份三星就曝光了64層堆棧的v-nand閃存了，tlc類型，核心容量提高到512gb，io接口速度800mbps。

根據三星最新的規劃，64層v-nand閃存預計會在今年底量産，南韓京畿道聲的華城市工廠已經開始準備生産了。此外，三星在中國西安的晶圓廠也會量産64層v-nand閃存，去年釋出950 pro時三星就提到西安工廠是最早量産48層堆棧3d閃存的工廠，這次64層堆棧閃存量産計劃中，西安工廠也會是主産地之一。

三星還在南韓平澤市建設新的工廠，今年12月份将完成主體建築施工，最快明年4月份就能生産，這比預期的時間提前了三個月。

本文轉自d1net（轉載）