大家好，我是电源漫谈，前述文章中，OBC典型拓扑中SiC mosfet不同封装的性能分析 ，简单介绍过不同封装技术给应用带来的影响，本文简单介绍一下分立SiC器件，包括SiC MOSFET和SiC DIODE常使用的典型封装，对其引脚基本参数有一个整体认识，文中的器件均为示例举例。
一.SiC MOSFET的TO247-4L封装
图1 TO247-4L的SiC MOSFET引脚定义
这个封装的主要特点是除了G,D,S之外，具有一个源极的SENSE pin，可以减少源极寄生电感的影响，对源极驱动的信号源进行开尔文连接。这个封装型号结尾是B4.
图2 TO247-4L封装的外形
在封装外形图上清楚标注了尺寸之外，还标明了PIN标号的详细定义。
图3 TO247-4L的封装尺寸1
图4 TO247-4L的封装尺寸2
图5 TO247-4L的SiC MOSFET的引脚定义
二．SiC MOSFET的TO247封装
图6 TO247的SiC MOSFET引脚定义
这是3 引脚的TO247 SiC MOSFET,这个封装型号结尾是B.
图7 TO247封装的外形
图8 TO247的封装尺寸1
图9 TO247的封装尺寸2
图10 TO247的SiC MOSFET的引脚定义
三．SiC DIODE的TO247封装
图11 SiC DIODE的TO247封装及引脚定义
可以看到TO247封装的SiC DIODE其阴极在右侧,且背面的CASE也是阴极。这个封装型号结尾是B.
图12 TO247的SiC DIODE的外形尺寸
四．SiC DIODE的TO247 三引脚封装
图13 SiC DIODE的TO247三引脚封装及引脚定义
这里可以看出，中间一个引脚是共阴极，这个封装包含两个SiC DIODE在一个封装里面，除了中间的2 PIN是阴极外，背面的CASE也是阴极，这个封装型号结尾是BCT.
图14 SiC DIODE的TO247 三引脚封装外形
图15 SiC DIODE的TO247 三引脚封装尺寸1
图16 SiC DIODE的TO247 三引脚封装尺寸2
图17 SiC DIODE的TO247 三引脚封装引脚定义
五．SiC DIODE的TO220封装
图18 SiC DIODE的TO220封装
这个封装就两个PIN,右侧为阴极，左侧为阳极，且背面CASE为阴极。这个封装型号结尾是K.
图19 SiC DIODE的TO220封装外形
六．SiC MOSFET的D3PAK封装
图20 SiC MOSFET的D3PAK封装及引脚定义
这个封装是一个贴片封装，又称之为TO-268封装，其引脚定义和TO247-3的SiC MOSFET相似，但是2脚的Drain级不能直接贴片焊接。注意背面的CASE是Drain。这个封装型号结尾是S.
图21 D3PAK的SiC MOSFET外形及引脚定义
图22 SiC MOSFET的D3PAK封装尺寸及引脚定义
七．SiC MOSFET的SOT227封装
图23 SiC MOSFET的SOT227封装及引脚定义
这个封装有两个S端子，D和G端子各有一个。这个封装型号结尾是J.
图24 SiC MOSFET的SOT227封装外形尺寸
这里我们可看到，对于两个S端子来说，其内部是短接在一起的，两个S端子的电流处理能力相当。
八．SiC DIODE的D3PAK封装
图25 SiC DIODE的D3PAK封装及引脚定义
注意这个封装和D3PAK的SiC MOSFET差异是中间一个引脚没有意义了，只有两个引脚表示二极管阳极和阴极，且背面的CASE是阴极。这个封装型号结尾是S.
图26 SiC DIODE的D3PAK外形及引脚定义
图27 SiC DIODE的D3PAK尺寸1
图28 SiC DIODE的D3PAK尺寸2
九．SiC DIODE的SOT227封装
图29 SiC DIODE的SOT227封装及引脚定义
注意SOT227的SiC DIODE封装里面，包含两个SiC DIODE，类似于TO247的三引脚封装，但是SOT227封装中的两个DIODE并没有互相相连，且有两种封装形式，一种是同向放置，另一种是反向放置。这个封装型号结尾是J.
图30 SiC DIODE的SOT227封装外形及尺寸
注意，此处尺寸为毫米或者英寸，英寸在括号内。
十．SiC MOSFET的D2PAK封装
图31 SiC MOSFET的D2PAK封装及引脚定义
D2PAK是一个比D3PAK更小的贴片封装，它另一个名字是TO263-7,这里有七个引脚，1为Gate，2为Source Sense，3-7均为Source，背面CASE为Drain。这个封装型号结尾是SA.
图32 SiC MOSFET的D2PAK封装外形及引脚定义
图33 SiC MOSFET的D2PAK封装尺寸
图34 SiC MOSFET的D2PAK封装引脚定义
十一.SiC DIODE的T-MAX封装
图35 SiC DIODE的T-MAX封装及引脚定义
这种T-MAX封装将二极管的阴极引脚做的宽一些，且背面CASE也是阴极。左侧为阴极，右侧引脚为阳极，这和普通的TO220封装的SiC DIODE一样。这个封装型号结尾是B2.
图36 SiC DIODE的T-MAX封装外形及引脚定义
图37 SiC DIODE的T-MAX封装尺寸及引脚定义
除了上述的典型封装外，还有一种较新的TOLL封装，即TO-LeadLess封装，这种封装比较适合高功率密度的场合，体积较小，比D2PAK的面积节省30%，比D2PAK的体积小60%。同时它也是一种四引脚封装，和TO247-4L类似，可以减小源极电感，栅极驱动进行开尔文连接，发挥SiC MOSFET的高速性能，此处就不多做简介。
本文对作者所看到的一些典型封装做梳理，可能还有遗漏，有疑问请读者私信讨论。
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电源漫谈电源漫谈，知名美国半导体公司主任应用工程师，985硕士，多年电源研发经验。内容主要为电源设计基础，数字控制电源，基于单片机的混合型电源，单片机嵌入式设计，宽禁带功率电子等电源相关话题原创文章及讨论，致力于电源知识及电力电子应用的原创分享。91篇原创内容
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