【IoT】CC254X 片上 flash 读写操作解析

在开发中，希望数据掉电不丢失，有两种方法：

1）通过 I2C 或者 SPI 总线外接存储，比如 E2PROM 或 FLASH；

2）操作片上 flash。

要想操作片上 flash，首先要搞清楚片上 flash 的存储结构以及寻址方式。

例如：

CC2541F256 这个芯片，我们查一下技术手册，介绍片上 flash 存储组织结构的部分如下：

梳理如下：

1）内部 flash 由 page 组成，每一个页有 2K=2048byte；

2）最小可擦除单元为一个 page；

3）最小可写入单元为 32bit（一个 word）；

4）寻址地址大小为 16bit。

以上这些涵盖了我们操作 flash 时必须的信息。

CC2541F256一共有256KB的片上flash空间，那么一共有256/2=128个page。

在写入flash之前，我们通常会先对要写入的区域进行擦除操作，由于最小可擦除单元为一个page，那么我们只需要定义好要擦除的页即可，例如，我们把一个标志位flag写入第120个page，这时可以直接调用HAL层的HAL_FLASH提供的操作API，HalFlashErase(0x78)。

擦除完毕后，我们需要在相应的地址写入flag的值，那么如何确定地址？可以通过page进行换算，120*2048为总的byte数，最小可写入单元大小为32bit也就是4个byte，也就是说每个地址对应的是4个byte，所以120*2048/4=0xF000即第120页的首地址。

读写参考代码如下：

uint8 newValue[10];
uint8 newChar1[2];
......
HalFlashErase(0x78);
while( FCTL & 0x80 ); // wait for erase to complete
HalFlashWrite(0xF000,newValue,1);
HalFlashRead(0x78,0,newChar1,2);
           

refer:

https://blog.csdn.net/happytomyoung/article/details/48895217