CC254X片上flash读写解析

        如果在开发中，希望个别数据掉电不丢失，那么有几种方法可以考虑，一种是通过I2C或者SPI总线外接存储，比如E2PROM或FLASH，如果数据不大，第二种方便的方法就是操作片上flash了，要想操作片上flash，首先要搞清楚片上flash的存储结构以及寻址方式。

        例如CC2541F256这个芯片，我们查一下技术手册，介绍片上flash存储组织结构的部分，截取如下：

        我们可以梳理如下：

        1.内部flash由page组成，每一个页有2048-byte；

        2.最小可擦除单元为一个page；

        3.最小可写入单元为32bit（一个word）；

        4.寻址地址大小为16-bit。

        以上这些涵盖了我们操作flash时必须的信息。CC2541F256一共有256KB的片上flash空间，那么一共有多少page？答案是256/2=128个page。在写入flash之前，我们通常会先对要写入的区域进行擦除操作，由于最小可擦除单元为一个page，那么我们只需要定义好要擦除的页即可，例如，我们把一个标志位flag写入第120个page（这里注意核对下代码的大小，不要写到代码存储区即可，尤其是OAD更要特别注意），这时可以直接调用HAL层的HAL_FLASH提供的操作API，HalFlashErase(0x78)。擦除完毕后，我们需要在相应的地址写入flag的值，那么如何确定地址？可以通过page进行换算，120*2048为总的byte数，最小可写入单元大小为32-bit也就是4个byte，也就是说每个地址对应的是4个byte，所以120*2048/4=0xF000即第120页的首地址。

        读写参考代码如下：

uint8 newValue[10];
      uint8 newChar1[2];
      ......
      HalFlashErase(0x78);
      while( FCTL & 0x80 ); // wait for erase to complete
      HalFlashWrite(0xF000,newValue,1);
      HalFlashRead(0x78,0,newChar1,2);
           

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