日前美国已经承诺向芯片巨头台积电提供66亿美元的财政补贴，从而支持台积电在美国开设一座2纳米制程的芯片工厂。就芯片发展的现状来看，量产2纳米已经是属于天花板的技术，因此美国是紧跟芯片发展的潮流，图谋筑起芯片高墙。从美国商务部发布的信息来看，美国在英特尔公司砸巨资，同样支持该公司发展高端芯片的制造。对于芯片产业在美国的发展，美国拜登政府已经制定了规划，试图掌握全球20%的芯片产能，并且是瞄准了顶级芯片制造技术，为此愿意在台积电、英特尔和三星等公司投入巨资。
从美国拜登政府的动作来看，似乎是免费提供相关的资金，实际上芯片巨头投入的资金远远超过美国政府提供的产业补贴。美国许诺提供66亿美元给台积电，而台积电承诺在美国投资超过650亿美元，因此美国给予的补贴仅仅是10%的规模而已。美国对于芯片巨头在美国设置工厂是有技术门槛要求的，必须高端芯片的制造，同时要使用美国的供应链，从而让美国政府都能进行掌控。实际上早在特朗普时代，美国就已经在“鼓动”芯片巨头在美国设立工厂，期间台积电是最为积极的，如今已经在规划设立第三座工厂。
在芯片工艺上，台积电也已经许诺在美国进行2纳米芯片生产，这是对于美国政府的承诺，不过也是基于现有的高端芯片的定义。如果随着时间的推移，很有可能0.5纳米就会成为主流，因此很有可能未来会有变动。实际上如今美国在豪赌台积电的技术是永远领先的，显然美国高估了台积电，因为市场会带动科技的进步。美国从2019年开始在芯片领域发力，其中就包括对于中国的制裁，美国一门心思要阻止中国芯片技术的突破，为此对于芯片生产设备和技术，以及耗材进行了管制。
美国不仅仅自己动手，而且还迫使美国盟友联合行动，从而试图全方位阻止中国在芯片领域的进步，不过中国还是突破了7纳米技术。台积电的芯片制造中，7纳米占19%的比例，5纳米的占33%的规模，3纳米仅有6%的规模，因此只要中国突破5纳米技术，就能够获得更多的芯片市场份额。从7纳米到5纳米的突破，需要在设备和工艺上都有进步，如今中国拥有的是DUV系列光刻机，通过多次曝光能够生产7纳米工艺的芯片，实际上也已经能生产5纳米芯片产品。
中国是全球最大的芯片使用市场，因此有着庞大的需求，中国突破7纳米工艺，就意味着7纳米以下的工艺都不是问题，因此只要继续突破，最终能够稳定芯片制造的最高工艺水平。美国之前豪赌中国只能进行14纳米以下的芯片制造，甚至只能进行28纳米的芯片量产，然而仅仅通过3年的时间，中国就已经突破了7纳米工艺，因此中国是用行动证明了实力，未来可以让美国的围堵和遏制彻底失败。如今美国在豪赌，显然筑起高墙也是无法阻止中国芯片产业的发展的，中国庞大的市场就可以带动中国芯片产业的发展，这是美国所没有的基础。