記憶體（英語：Computer
memory）是一種利用技術做成的電子裝置，用來存儲資料。
電子電路的資料是以的方式存儲，的每一個存儲單元稱做記憶元。
存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱記憶體儲器（簡稱記憶體）。
記憶體是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程式的運作都是在記憶體中進行的，是以記憶體的性能對計算機的影響非常大。 記憶體(Memory)也被稱為記憶體儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算資料，以及與硬碟等外部存儲器交換的資料。隻要計算機在運作中，CPU就會把需要運算的資料調到記憶體中進行運算，當運算完成後CPU再将結果傳送出來，記憶體的運作也決定了計算機的穩定運作。 記憶體是由記憶體晶片、電路闆、金手指等部分組成的。
在的組成結構中，有一個很重要的部分，就是。存儲器是用來存儲程式和資料的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱記憶體儲器（簡稱記憶體，港台稱之為記憶體）。
又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲空間，由器件制成。記憶體的特點是存取速率快。記憶體是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的，如作業系統、打字軟體、遊戲軟體等，一般都是安裝在等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入記憶體中運作，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個遊戲，其實都是在記憶體中進行的。就好比在一個書房裡，存放書籍的書架和書櫃相當于電腦的外存，而我們工作的辦公桌就是記憶體。通常我們把要永久儲存的、大量的資料存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的資料和程式放在記憶體上，當然記憶體的好壞會直接影響電腦的運作速度。
就是暫時存儲程式以及資料的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在上敲入字元時，它就被存入記憶體中，當你選擇存盤時，記憶體中的資料才會被存入硬（磁）盤。在進一步了解它之前，還應認識一下它的實體概念。
記憶體一般采用半導體存儲單元，包括随機（RAM），隻讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。隻不過因為RAM是其中最重要的存儲器。（synchronous）SDRAM 動态随機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的記憶體。SDRAM将CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞資料，速度比EDO記憶體提高50%。DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新換代産品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸資料，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
隻讀存儲器（ROM）
ROM表示隻讀存儲器（Read Only Memory），在制造ROM的時候，資訊（資料或程式）就被存入并永久儲存。這些資訊隻能讀出，一般不能寫入，即使機器停電，這些資料也不會丢失。ROM一般用于存放計算機的基本程式和資料，如BIOS ROM。其實體外形一般是雙列直插式（DIP）的內建塊。
随機存儲器（RAM）
随機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取資料，也可以寫入資料。當機器電源關閉時，存于其中的資料就會丢失。我們通常購買或更新的記憶體條就是用作電腦的記憶體，記憶體條（SIMM）就是将RAM內建塊集中在一起的一小塊，它插在計算機中的上，以減少RAM內建塊占用的空間。目前市場上常見的記憶體條有1G/條，2G/條，4G/條等。
高速緩沖存儲器（Cache）
Cache也是我們經常遇到的概念，也就是平常看到的一級緩存(L1 Cache）、二級緩存(L2 Cache）、(L3 Cache）這些資料，它位于CPU與記憶體之間，是一個讀寫速度比記憶體更快的存儲器。當CPU向記憶體中寫入或讀出資料時，這個資料也被存儲進高速緩沖存儲器中。當CPU再次需要這些資料時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取資料，而不是通路較慢的記憶體，當然，如需要的資料在Cache中沒有，CPU會再去讀取記憶體中的資料。
實體存儲器和位址空間
實體存儲器和存儲位址空間是兩個不同的概念。但是由于這兩者有十分密切的關系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其大小，是以容易産生認識上的混淆。初學者弄清這兩個不同的概念，有助于進一步認識記憶體儲器和用好記憶體儲器。
實體存儲器是指實際存在的具體存儲器。如上裝插的記憶體條和裝載有系統的BIOS的ROM晶片，顯示卡上的顯示RAM晶片和裝載顯示BIOS的ROM晶片，以及各種适配卡上的RAM晶片和晶片都是實體存儲器。
存儲位址空間是指對存儲器（編碼位址）的範圍。所謂編碼就是對每一個實體存儲單元（一個）配置設定一個号碼，通常叫作“編址”。配置設定一個号碼給一個存儲單元的目的是為了便于找到它，完成資料的讀寫，這就是所謂的“尋址”（是以，有人也把位址空間稱為尋址空間）。
位址空間的大小和實體存儲器的大小并不一定相等。舉個例子來說明這個問題：某層樓共有17個房間，其編号為801～817。這17個房間是實體的，而其位址空間采用了三位編碼，其範圍是800～899共100個位址，可見位址空間是大于實際房間數量的。
對于386以上檔次的微機，其位址總線為32位，是以位址空間可達2的32次方，即4GB。（雖然如此，但是我們一般使用的一些作業系統例如windows xp、卻最多隻能識别或者使用3.25G的記憶體，64位的作業系統能識别并使用4G和4G以上的的記憶體，
好了，現在可以解釋為什麼會産生諸如：正常記憶體、保留記憶體、上位記憶體、高端記憶體、擴充記憶體和擴充記憶體等不同記憶體類型。
奇/偶校驗
奇/偶校驗（ECC）是資料傳送時采用的一種校正資料錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。
如果是采用奇校驗，在傳送每一個位元組的時候另外附加一位作為校驗位，當實際資料中“1”的個數為偶數的時候，這個校驗位就是“1”，否則這個校驗位就是“0”，這樣就可以保證傳送資料滿足奇校驗的要求。在接收方收到資料時，将按照奇校驗的要求檢測資料中“1”的個數，如果是奇數，表示傳送正确，否則表示傳送錯誤。
同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣，隻是檢測資料中“1”的個數為偶數。
CL延遲
CL反應時間是衡定記憶體的另一個标志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是記憶體存取資料所需的延遲時間，簡單的說，就是記憶體接到CPU的指令後的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133記憶體标準中，這個數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規範中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對于記憶體廠商的晶片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。是以在選購品牌記憶體時，這是一個不可不察的因素。
還有另的诠釋：記憶體延遲基本上可以解釋成是系統進入資料進行存取操作就序狀态前等待記憶體響應的時間。打個形象的比喻，就像你在餐館裡用餐的過程一樣。你首先要點菜，然後就等待服務員給你上菜。同樣的道理，記憶體延遲時間設定的越短，電腦從記憶體中讀取資料的速度也就越快，進而電腦其他的性能也就越高。這條規則雙雙适用于基于英特爾以及AMD處理器的系統中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，是以國際記憶體标準組織認為以現在的動态記憶體技術還無法實作0或者1的延遲。
通常情況下，我們用4個連着的阿拉伯數字來表示一個記憶體延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是記憶體存取資料所需的延遲時間。第二個數字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數字分别表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數字一般而言是它們中間最大的一個。
記憶體主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示記憶體的速度，它代表着該記憶體所能達到的最高工作頻率。記憶體主頻是以MHz（兆赫）為機關來計量的。記憶體主頻越高在一定程度上代表着記憶體所能達到的速度越快。記憶體主頻決定着該記憶體最高能在什麼樣的頻率正常工作。目前較為主流的記憶體頻率是800MHz的DDR2記憶體，以及一些記憶體頻率更高的DDR3記憶體。
大家知道，計算機系統的時脈速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制着時脈速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來，這一變化的電流就是時鐘信号。而記憶體本身并不具備晶體振蕩器，是以記憶體工作時的時鐘信号是由的北橋或直接由主機闆的時鐘發生器提供的，也就是說記憶體無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主機闆來決定的。
DDR記憶體和DDR2記憶體的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是記憶體顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR記憶體可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸資料，是以傳輸資料的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2記憶體每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫資料，是以傳輸資料的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分别是100/133/166/200MHz，而等效頻率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分别是100/133/166/200MHz，而等效頻率分别是400/533/667/800MHz。
這裡需要明确的是，我們讨論的不同的概念是建立在尋址空間上的。推出的第一台PC機采用的CPU是8088晶片，它隻有20根位址線，也就是說，它的位址空間是1MB。
PC機的設計師将1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及使用，高端的384KB則保留給ROM、視訊适配卡等系統使用。從此，這個界限便被确定了下來并且沿用至今。低端的640KB就被稱為正常記憶體即PC機的基本RAM區。保留記憶體中的低128KB是顯示緩沖區，高64KB是系統BIOS（基本輸入/輸出系統）空間，其餘192KB空間留用。從對應的實體來看，基本記憶體區隻使用了512KB晶片，占用0000至7FFFF這512KB。顯示記憶體區雖有128KB空間，但對單色（MDA卡）隻需4KB就足夠了，是以隻安裝4KB的實體存儲器晶片，占用了B0000至B0FFF這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的實體存儲器，占用B8000至BBFFF這16KB的空間，可見實際使用的位址範圍都小于允許使用的位址空間。
在當時（1980年末至1981年初）這麼“大”容量的記憶體對PC機使用者來說似乎已經足夠了，但是随着程式的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能通路更大記憶體空間的新型CPU相繼出現，最初的PC機和MS－DOS設計的局限性變得越來越明顯。
到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認識到640KB的限制已成為大型程式的障礙，這時，Intel和Lotus，這兩家硬、軟體的傑出代表，聯手制定了一個由和軟體相結合的方案，此方法使所有PC機存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對空間的要求也很高，是以它也及時加入了該行列。
在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴充記憶體規範，通常稱EMS為擴充記憶體。當時，EMS需要一個安裝在I/O槽口的記憶體擴充卡和一個稱為EMS的擴充記憶體管理程式方可使用。但是I/O插槽的位址線隻有24位（ISA總線），這對于386以上檔次的32位機是不能适應的。是以，現在已很少使用記憶體擴充卡。現在微機中的擴充記憶體通常是用軟體如DOS中的EMM386把擴充記憶體模拟或擴充記憶體來使用。是以，擴充記憶體和擴充記憶體的差別并不在于其實體的位置，而在于使用什麼方法來讀寫它。下面将作進一步介紹。
前面已經說過擴充存儲器也可以由擴充存儲器模拟轉換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留記憶體區内，但其實體存儲器來自擴充存儲器），分為4頁，每頁16KB。EMS存儲器也按16KB分頁，每次可交換4頁内容，以此方式可通路全部EMS存儲器。符合EMS的驅動程式很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。
我們知道，286有24位位址線，它可尋址16MB的位址空間，而386有32位位址線，它可尋址高達4GB的位址空間，為了差別起見，我們把1MB以上的位址空間稱為擴充XMS（eXtend memory）。
在386以上檔次的微機中，有兩種工作方式，一種稱為實方式或實方式，另一種稱為保護方式。在實方式下，實體位址仍使用20位，是以最大尋址空間為1MB，以便與8086相容。保護方式采用32位實體位址，尋址範圍可達4GB。DOS系統在實方式下工作，它管理的記憶體空間仍為1MB，是以它不能直接使用擴充存儲器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴充記憶體的使用标準，即擴充記憶體規範XMS。我們常在Config.sys中看到的Himem.sys就是管理擴充記憶體的驅動程式。
擴充記憶體管理規範的出現遲于擴充記憶體管理規範。
在實方式下，單元的可記為：
段位址：段内偏移
通常用寫為XXXX：XXXX。實際的實體位址由段位址左移4位再和段内偏移相加而成。若位址各位均為1時，即為FFFF：FFFF。其實際實體位址為：FFF0+FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16位元組），這已超過1MB範圍進入擴充記憶體了。這個進入擴充記憶體的區域約為64KB，是1MB以上空間的第一個64KB。我們把它稱為高端記憶體區HMA（High Memory Area）。HMA的實體是由擴充存儲器取得的。是以要使用HMA，必須要有實體的擴充存儲器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅動程式HIMEM.SYS的支援，是以隻有裝入了HIMEM.SYS之後才能使用HMA。
為了解釋上位記憶體的概念，我們還得回過頭看看保留記憶體區。保留區是指640KB～1024KB（共384KB）區域。這部分區域在PC誕生之初就明确是保留給系統使用的，使用者程式無法插足。但這部分空間并沒有充分使用，是以大家都想對剩餘的部分打主意，分一塊位址空間（注意：是位址空間，而不是實體）來使用。于是就得到了又一塊記憶體區域UMB。
UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位記憶體或上位記憶體塊。它是由擠占保留記憶體中剩餘未用的空間而産生的，它的實體存儲器仍然取自實體的擴充存儲器，它的管理驅動程式是EMS驅動程式。
對于細心的讀者，可能還會發現一個問題：即是對于裝有1MB或1MB以上實體的機器，其640KB～1024KB這部分實體存儲器如何使用的問題。由于這部分位址空間已配置設定為系統使用，是以不能再重複使
用。為了利用這部分實體存儲器，在某些386系統中，提供了一個重定位功能，即把這部分實體存儲器的位址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分實體存儲器就變成了擴充存儲器，當然可以使用了。但這種重定位功能在當今高檔機器中不再使用，而把這部分實體存儲器保留作為Shadow存儲器。Shadow存儲器可以占據的位址空間與對應的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當把ROM中的内容（各種BIOS程式）裝入相同的Shadow RAM中，就可以從RAM中通路BIOS，而不必再通路ROM。這樣将大大提高系統性能。是以在設定CMOS時，應将相應的Shadow區設為允許使用（Enabled）。
經過上面分析，記憶體儲器的劃分可歸納如下：
基本占據0～640KB位址空間。
保留記憶體 占據640KB～1024KB位址空間。配置設定給顯示緩沖存儲器、各适配卡上的ROM和系統ROM BIOS，剩餘空間可作上位記憶體UMB。UMB的實體取自實體擴充存儲器。此範圍的實體RAM可作為
Shadow RAM使用。
上位記憶體（UMB）利用保留記憶體中未配置設定使用的位址空間建立，其實體存儲器由實體擴充存儲器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS設定。
高端記憶體（HMA） 擴充記憶體中的第一個64KB區域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。
XMS記憶體符合XMS規範管理的擴充記憶體區。其驅動程式為HIMEM.SYS。
EMS記憶體 符合EMS規範管理的擴充記憶體區。其驅動程式為EMM386.EXE等。
記憶體：随機存儲器（RAM），主要存儲正在運作的程式和要處理的資料。
SRAM
SRAM（Static RAM）意為靜态随機存儲器。SRAM資料不需要通過不斷地重新整理來儲存，是以速度比DRAM（動态随機存儲器）快得多。但是SRAM具有的缺點是：同容量相比DRAM需要非常多的半導體，發熱量也非常大。是以SRAM難以成為大容量的主存儲器，通常隻用在CPU、GPU中作為緩存，容量也隻有幾十K至幾十M。
SRAM目前發展出的一個分支是eSRAM（Enhanced SRAM），為增強型SRAM，具備更大容量和更高運作速度。
RDRAM
RDRAM是由RAMBUS公司推出的記憶體。RDRAM記憶體條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運作頻率，性能非常強。
然而它是一個非開放的技術，記憶體廠商需要向RAMBUS公司支付授權費。并且RAMBUS記憶體的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閑的插槽必須使用終結器。是以，除了短壽的Intel i820和i850晶片組對其提供支援外，PC平台沒有支援RAMBUS記憶體的晶片組。
可以說，它是一個優秀的技術，但不是一個成功的商業産品。
XDR RAM
XDR記憶體是RDRAM的更新版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的縮寫。
XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。是以，XDR記憶體的應用依舊非常有限。比較常見的隻有索尼的PS3遊戲機。
Fe-RAM
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丢失内容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。由于資料是通過鐵元素的磁性進行存儲，是以，鐵電存儲器無需不斷重新整理資料。其運作速度将會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的半導體。它被業界認為是SDRAM的最有可能的替代者。
MRAM
磁性存儲器。它和Fe-RAM具有相似性，依舊基于磁性物質來記錄資料。
OUM
相變存儲器。
奧弗辛斯基（Stanford Ovshinsky）在1968年發表了第一篇關于非晶體相變的論文，創立了非晶體半導體學。一年以後，他首次描述了基于相變理論的存儲器：材料由非晶體狀态變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀态呈現不同的反光特性和電阻特性，是以可以利用非晶态和晶态分别代表“0”和“1”來存儲資料。
在計算機誕生初期并不存在記憶體條的概念，最早的記憶體是以磁芯的形式排列線上路上，每個磁芯與組成的一個雙穩态電路作為一比特（BIT）的，每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間的機房隻能裝下不超過百k位元組左右的容量。後來才出線現了焊接在主機闆上內建記憶體晶片，以記憶體晶片的形式為計算機的運算提供直接支援。那時的記憶體晶片容量都特别小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務來說卻已經綽綽有餘了。
記憶體晶片的狀态一直沿用到286初期，鑒于它存在着無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑒于此，記憶體條便應運而生了。将記憶體晶片焊接到事先設計好的印刷線路闆上，而電腦主機闆上也改用記憶體插槽。這樣就把難以安裝和更換的問題徹底解決了。
在80286主機闆釋出之前，記憶體并沒有被世人所重視，這個時候的記憶體是直接固化在主機闆上，而且容量隻有64 ～256KB，對于當時PC所運作的工作程式來說，這種記憶體的性能以及容量足以滿足當時軟體程式的處理需要。不過随着軟體程式和新一代80286硬體平台的出現，程式和硬體對記憶體性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，記憶體必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“記憶體條”概念。
在80286主機闆剛推出的時候，記憶體條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸記憶體模組），容量為30pin、256kb，必須是由8 片資料位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM 記憶體是記憶體領域的開山鼻祖。
随後，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，是以30pin SIMM 記憶體再也無法滿足，其較低的記憶體帶寬已經成為急待解決的瓶頸，是以此時72pin SIMM 記憶體出現了，72pin SIMM支援32bit快速頁模式記憶體，記憶體帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM記憶體單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 記憶體無法相容，是以這個時候PC業界毅然将30pin SIMM 記憶體淘汰出局了。
EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外擴充資料模式）記憶體，這是1991 年到1995 年之間盛行的記憶體條，EDO DRAM同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速頁面模式存儲器）極其相似，它取消了擴充資料輸出記憶體與傳輸記憶體兩個存儲周期之間的時間間隔，在把資料發送給CPU的同時去通路下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。
在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尴尬的情況，那就是這幾年記憶體技術發展比較緩慢，幾乎停滞不前，是以我們看到此時EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO 記憶體也屬于72pin SIMM 記憶體的範疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借着制作工藝的飛速發展，此時單條EDO 記憶體的容量已經達到4 ～16MB。由于Pentium及更進階别的CPU資料總線寬度都是64bit甚至更高，是以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對使用。
自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主機闆晶片組推出後，EDO DRAM性能再也無法滿足需要了，記憶體技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時記憶體開始進入比較經典的SDRAM時代。
第一代SDRAM 記憶體為PC66 規範，但很快由于Intel 和AMD的頻率之争将CPU外頻提升到了100MHz，是以PC66記憶體很快就被PC100記憶體取代，接着133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規範也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 資料總線寬度，是以它隻需要一條記憶體便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信号保持與系統外頻，是以速度明顯超越EDO 記憶體。
不可否認的是，SDRAM 記憶體由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決記憶體帶寬的瓶頸問題，但此時已經成為DIY使用者永恒的話題，是以不少使用者将品牌好的PC100品牌記憶體超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了友善一些超頻使用者需求，市場上出現了一些PC150、PC166規範的記憶體。
盡管SDRAM PC133記憶體的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經開始着手最新的Pentium 4計劃，是以SDRAM PC133記憶體不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM記憶體（稱為RDRAM記憶體）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單記憶體架構，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機）理論，這個理論可以減少資料的複雜性，使得整個系統性能得到提高。
在AMD與Intel的競争中，這個時候是屬于頻率競備時代，是以這個時候CPU的在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，是以Rambus DRAM記憶體是被Intel看着是未來自己的競争殺手锏，Rambus DRAM記憶體以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的資料量，是以記憶體帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。
盡管如此，Rambus RDRAM 記憶體生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 記憶體因出現Intel820 晶片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平台高高在上，無法獲得大衆使用者擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規範RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 記憶體面前。
DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM）簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的更新版本，DDR在時鐘信号上升沿與下降沿各傳輸一次資料，這使得DDR的資料傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信号，是以并不會造成能耗增加。至于定址與控制信号則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。
DDR 是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補記憶體帶寬上的不足。第一代DDR200 規範并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鐘×2倍資料傳輸=266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM記憶體所衍生出的，它将DDR 記憶體帶向第一個高潮，目前還有不少和AMD K7處理器都在采用DDR266的記憶體，其後來的DDR333記憶體也屬于一種過度，而DDR400記憶體成為目前的主流平台選配，DDR400記憶體已經成為800FSB處理器搭配的基本标準，随後的DDR533 規範則成為使用者的選擇對象。
随着CPU 性能不斷提高，我們對性能的要求也逐漸更新。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，是以JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 标準，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台開始對DDR2記憶體的支援，是以DDR2記憶體将開始演義記憶體領域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口将運作于1.8V 電壓上，進而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能名額和中斷指令，提升記憶體帶寬的使用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2标準來看，針對PC等市場的DDR2記憶體将擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2記憶體将擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II記憶體将采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2記憶體将采用0.13微米的生産工藝，記憶體顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
記憶體技術在2005年将會毫無懸念，SDRAM為代表的靜态記憶體在五年内不會普及。QBM與RDRAM記憶體也難以挽回頹勢，是以DDR與DDR2共存時代将是鐵定的事實。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory）也是很重要的一員。VCM即“虛拟通道”，這也是目前大多數較新的晶片組支援的一種記憶體标準，VCM記憶體主要根據由NEC公司開發的一種“緩存式DRAM”技術制造而成，它內建了“通道緩存”，由高速進行配置和控制。在實作高速資料傳輸的同時，VCM還維持着對傳統SDRAM的高度相容性，是以通常也把VCM記憶體稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差别在于不論是否經過CPU處理的資料，都可先交于VCM進行處理，而普通的SDRAM就隻能處理經CPU處理以後的資料，是以VCM要比SDRAM處理資料的速度快20%以上。目前可以支援VCM SDRAM的晶片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
3．RDRAM
Intel在推出：PC-100後，由于技術的發展，PC-100記憶體的800MB/s帶寬已經不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大（1064MB/s），同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM）。
Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種記憶體規格，采用了新一代高速簡單記憶體架構，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機）理論，進而可以減少資料的複雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit，在一個時鐘周期内，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸資料，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s，相當于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit位元組，額外的一比特是屬于保留比特，可能以後會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正）校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接配接記憶體控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式記憶體子產品），減少銅線的長度和數量就可以降低資料傳輸中的電磁幹擾，進而快速地提高記憶體的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，是以第一款Rambus記憶體甚至需要自帶散熱風扇。
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀更新為8bit預讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2記憶體速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3模組仍會從1066Mhz起跳。
一、DDR3在DDR2基礎上采用的新型設計：
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM的頻率隻有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率隻有100MHz。
2．采用點對點的拓樸架構，以減輕/指令與控制總線的負擔。
3．采用100nm以下的生産工藝，将工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。部分廠商已經推出1.35V的低壓版DDR3記憶體。
廠商預計在2012年，DDR4時代将開啟，起步頻率降至1.2V，而頻率提升至2133MHz，次年進一步将電壓降至1.0V，頻率則實作2667MHz。
新一代的DDR4記憶體将會擁有兩種規格。根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4記憶體将會是Single-endedSignaling( 傳統SE信号）方式DifferentialSignaling( 差分信号技術）方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了确認。預計這兩個标準将會推出不同的晶片産品，是以在DDR4記憶體時代我們将會看到兩個互不相容的記憶體産品。
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2擁有兩倍于标準DDR記憶體的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統指令資料的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2記憶體中，後者的記憶體延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。
DDR2技術最大的突破點其實不在于使用者們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破标準DDR的400MHZ限制。
DDR記憶體通常采用TSOP晶片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會産生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2記憶體均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2記憶體采用1.8V電壓，相對于DDR标準的2.5V，降低了不少，進而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
除了以上所說的差別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信号的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信号的完整性；通過控制電壓來提高信号品質。
ODT：ODT是内建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主機闆上面為了防止資料線反射信号需要大量的終結電阻。它大大增加了主機闆的制造成本。實際上，不同的模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了資料線的信号比和反射率，終結電阻小則資料線信号反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則資料線的信噪比高，但是信号反射也會增加。是以主機闆上的終結電阻并不能非常好的比對記憶體模組，還會在一定程度上影響信号品質。DDR2可以根據自己的特點内建合适的終結電阻，這樣可以保證最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主機闆成本，還得到了最佳的信号品質，這是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是為了提高DDR II記憶體的利用而設定的。在Post CAS操作中，CAS信号（讀寫/指令）能夠被插到RAS信号後面的一個時鐘周期，CAS指令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設定。由于CAS信号放在了RAS信号後面一個時鐘周期，是以ACT和CAS信号永遠也不會産生碰撞沖突。
總的來說，DDR2采用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信随着技術的不斷提高和完善，這些問題終将得到解決。
1．突發長度（Burst Length，BL）
由于DDR3的預取為8bit，是以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可通過A12位址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都将在DDR3中予以禁止，且不予支援，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
2．尋址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數将根據具體的工作頻率而定。
3．DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實作了。這一引腳将使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset指令有效時，DDR3記憶體将停止所有操作，并切換至最少量活動狀态，以節約電力。
在Reset期間，DDR3記憶體将關閉内在的大部分功能，所有資料接收與發送器都将關閉，所有内部的程式裝置将複位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路将停止工作，而且不理睬資料總線上的任何動靜。這樣一來，将使DDR3達到最節省電力的目的。
4．DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個指令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗資料輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令後，将用相應的時鐘周期（在加電與初始化之後用512個時鐘周期，在退出自重新整理操作後用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5．參考電壓分成兩個
在DDR3系統中，對于記憶體系統工作非常重要的參考電壓信号VREF将分為兩個信号，即為指令與信号服務的VREFCA和為資料總線服務的VREFDQ，這将有效地提高系統資料總線的信噪等級。
6．點對點連接配接（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵差別。在DDR3系統中，一個記憶體控制器隻與一個記憶體通道打交道，而且這個記憶體通道隻能有一個插槽，是以，記憶體控制器與DDR3記憶體模組之間是點對點（P2P）的關系（單實體Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關系（雙實體Bank的模組），進而大大地減輕了位址/指令/控制與資料總線的負載。而在記憶體模組方面，與DDR2的類别相類似，也有标準DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用規格更高的AMB2（進階記憶體緩沖器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由于DDR3所采用的根據溫度自動自重新整理、局部自重新整理等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，是以，它可能首先受到移動裝置的歡迎，就像最先迎接DDR2記憶體的不是桌上型電腦而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC桌上型電腦領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新晶片-熊湖（Bear Lake），其将支援DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支援DDR2及DDR3兩種規格。
記憶體異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是記憶體工作頻率與CPU的外頻不一緻時都可以稱為記憶體異步工作模式。首先，最早的記憶體異步工作模式出現在早期的主機闆晶片組中，可以使記憶體工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下（注意隻是簡單相差33MHz），進而可以提高系統記憶體性能或者使老記憶體繼續發揮餘熱。其次，在正常的工作模式（CPU不）下，目前不少主機闆晶片組也支援記憶體異步工作模式，例如Intel 910GL晶片組，僅僅隻支援533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作（注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了），隻不過搭配不同的記憶體其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使記憶體拖CPU超頻能力的後腿，此時可以調低記憶體的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少産品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在記憶體的工作模式下，此時記憶體的等效頻率将高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主機闆BIOS中把記憶體設定為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之後，前者也不過才DDR 500（某些極品記憶體可以達到），而後者更是隻有DDR 400（完全是正常的标準頻率），由此可見，正确設定記憶體異步模式有助于超頻成功。
目前的主機闆晶片組幾乎都支援記憶體異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支援，而威盛公司則從693晶片組以後全部都提供了此功能。
記憶體容量同、等容量機關都是相同的，它們的基本機關都是位元組（B），并且：
1024B=1KB=1024位元組=2^10位元組（^代表次方）
1024KB=1MB=1048576位元組=2^20位元組1024MB=1GB=1073741824位元組=2^30位元組
1024GB=1TB=1099511627776位元組=2^40位元組
1024TB=1PB=1125899906842624位元組=2^50位元組
1024PB=1EB=115 292150 4606846976位元組=2^60位元組
1024EB=1ZB=1180591620717411303424位元組=2^70位元組
1024ZB=1YB=1208925819614629174706176位元組=2^80位元組
的種類和運作頻率會對性能有一定影響，不過相比之下，容量的影響更加大。在其他配置相同的條件下記憶體越大機器性能也就越高。
記憶體的價格小幅走低，2011年前後，電腦記憶體的配置越來越大，一般都在1G以上，更有2G、4G、6G記憶體的電腦。
記憶體作為電腦中重要的配件之一，記憶體容量的大小确實能夠直接關系到整個系統的性能。是以，記憶體容量已經越來越受到消費者的關注。尤其在目前WIN7作業系統已經開始取代XP之時，對于最新的WIN7作業系統，多數消費者都認為大容量能讓其記憶體評分得到提升。
記憶體的工作原理。從功能上了解，我們可以将記憶體看作是記憶體控制器與CPU之間的橋梁，記憶體也就相當于“倉庫”。顯然，記憶體的容量決定“倉庫”的大小，而記憶體的速度決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說道的“記憶體容量”與“記憶體速度”。
記憶體帶寬的計算方法并不複雜，大家可以遵循如下的計算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個時鐘周期内交換的資料包個數。很明顯，在這些乘數因子中，每個都會對最終的記憶體帶寬産生極大的影響。在PCMark Vantage測試中，可以看到2GB和4GB DDR3-1600記憶體性能比較接近，其中2GB記憶體僅在啟動一些時候比較落後，畢竟少了一半容量是以運作起來比較吃力。而在3DmarkVantage遊戲中，我們可以看出在Win7系統下，2GB和4GB記憶體的性能差別不是很大，成績非常接近。同時，在WIN7環境下，2GB記憶體與4GB記憶體差别很小，有些情況下甚至沒有差别，這時如果想提高記憶體性能，光想着更新容量意義并不是很大。
基本簡介
從功能上了解，我們可以将記憶體看作是記憶體控制器（一般位于北橋晶片中）與CPU之間的橋梁或與倉庫。顯然，記憶體的容量決定“倉庫”的大小，而記憶體的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說道的“記憶體容量”與“記憶體速度”。除了記憶體容量與記憶體速度，延時周期也是決定其性能的關鍵。
當CPU需要中的資料時，它會發出一個由記憶體控制器所執行的要求，記憶體控制器接著将要求發送至記憶體，并在接收資料時向CPU報告整個周期（從CPU到記憶體，記憶體再回到CPU）所需的時間。毫無疑問，縮短整個周期也是提高記憶體速度的關鍵，這就好比在橋梁上工作的警察，其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。更快速的記憶體技術對整體性能表現有重大的貢獻，但是提高記憶體帶寬隻是解決方案的一部分，資料在CPU以及記憶體間傳送所花的時間通常比處理器執行功能所花的時間更長，為此緩沖區被廣泛應用。
其實，所謂的緩沖器就是CPU中的一級緩存與二級緩存，它們是記憶體這座“大橋梁”與CPU之間的“小橋梁”。事實上，一級緩存與二級緩存采用的是SRAM，我們也可以将其寬泛地了解為“記憶體帶寬”，不過現在似乎更多地被解釋為“前端總線”，是以我們也隻是簡單的提一下。事先預告一下，“前端總線”與“記憶體帶寬”之間有着密切的聯系，我們将會在後面的測試中有更加深刻的認識。
産品重要性
帶寬為何會如此重要呢？在回答這一問題之前，我們先來簡單看一看系統工作的過程。基本上當CPU接收到指令後，它會最先向CPU中的一級緩存（L1Cache）去尋找相關的資料，雖然一級是與CPU同頻運作的，但是由于容量較小，是以不可能每次都命中。這時CPU會繼續向下一級的二級緩存（L2Cache）尋找，同樣的道理，當所需要的資料在二級緩存中也沒有的話，會繼續轉向L3Cache（如果有的話，如K6-2+和K6-3）、記憶體和。
由于目前系統處理的資料量都是相當巨大的，是以幾乎每一步操作都得經過記憶體，這也是整個系統中工作最為頻繁的部件。如此一來，記憶體的性能就在一定程度上決定了這個系統的表現，這點在多媒體設計軟體和3D遊戲中表現得更為明顯。3D的記憶體帶寬（或許稱為顯存帶寬更為合适）的重要性也是不言而喻的，甚至其作用比系統的記憶體帶寬更為明顯。
大家知道，顯示卡在進行像素渲染時，都需要從顯存的不同緩沖區中讀寫資料。這些緩沖區中有的放置描述像素ARGB（阿爾法通道，紅，綠，藍）元素的顔色資料，有的放置像素Z值（用來描述像素的深度或者說可見性的資料）。顯然，一旦産生Z軸資料，顯存的負擔會立即陡然提升，在加上各種材質貼圖、深度複雜性、3D特效.
提高記憶體帶寬
記憶體帶寬的計算方法并不複雜，大家可以遵循如下的計算公式：=總線寬度×總線頻率×一個時鐘周期内交換的個數。很明顯，在這些乘數因子中，每個都會對最終的記憶體帶寬産生極大的影響。然而，如今在頻率上已經沒有太大文章可作，畢竟這受到制作工藝的限制，不可能在短時間内成倍提高。而總線寬度和資料包個數就大不相同了，簡單的改變會令帶寬突飛猛進。
DDR技術就使我們感受到提高資料包個數的好處，它令記憶體帶寬瘋狂地提升一倍。當然，提高資料包個數的方法不僅僅局限于在記憶體上做文章，通過多個記憶體控制器并行工作同樣可以起到效果，這也就是如今熱門的雙通道DDR晶片組（如nForce2、I875/865等）。事實上，DDR記憶體控制器并不能算是新發明，因為早在RAMBUS時代，RDRAM就已經使用了類似技術，隻不過當時RDRAM的總線寬度隻有16Bit，無法與DDR的64Bit相提并論。
記憶體技術發展到如今這一階段，四通道記憶體控制器的出現也隻是時間問題，VIA的QBM技術以及SiS支援四通道RDRAM的晶片組，這些都是未來的發展方向。至于方面，我們對其顯存帶寬更加敏感，這甚至也是很多廠商用來區分高低端産品的重要方面。同樣是使用DDR顯存的産品，128Bit寬度的産品會表現出遠遠勝過64Bit寬度的産品。當然提高也是一種解決方案，不過其效果并不明顯，而且會大幅度提高成本。值得注意的是，目前部分高端顯示卡甚至動用了DDRII技術，不過至少在目前看來，這項技術還為時過早。
識别記憶體帶寬
對于而言，辨識記憶體帶寬是一件相當簡單的事情，因為、、RDRAM這三種記憶體在外觀上有着很大的差别，大家通過下面這副圖就能清楚地認識到。唯一需要我們去辨認的便是不同頻率的DDR記憶體。目前主流DDR記憶體分為DDR266、DDR333以及DDR400，其中後三位數字代表工作頻率。通過記憶體條上的辨別，自然可以很友善地識别出其規格。
相對而言，上顯存帶寬的識别就要困難一些。在這裡，我們應該抓住“”和“”兩個重要的技術名額。顯存位寬的計算方法是：單塊顯存顆粒位寬×顯存顆粒總數，而顯存頻率則是由"1000/顯存顆粒納秒數"來決定。一般來說，我們可以從顯存顆粒上一串編号的最後2兩位看出其納秒數，從中也就得知其顯存頻率。至于單塊顯存顆粒位寬，我們隻能在網上查詢。HY、、EtronTech（钰創）等都提供專用的顯存編号查詢網站，相當友善。
如三星的顯存就可以到如下的下載下傳，隻要輸入相應的顯存顆粒編号即可。此外，使用RivaTuner也可以檢測顯示卡上顯存的總位寬，大家打開RivaTuner在MAIN菜單即可看到。
産品做工要精良
對于選擇來說，最重要的是穩定性和性能，而記憶體的做工水準直接會影響到性能、穩定以及超頻。
記憶體顆粒的好壞直接影響到記憶體的性能，可以說也是記憶體最重要的核心元件。是以大家在購買時，盡量選擇大廠生産出來的記憶體顆粒，一般常見的記憶體顆粒廠商有、、鎂光、、茂矽等，它們都是經過完整的生産工序，是以在品質上都更有保障。而采用這些頂級大廠記憶體顆粒的記憶體條品質性能，必然會比其他雜牌記憶體顆粒的産品要高出許多。
記憶體PCB電路闆的作用是連接配接記憶體晶片引腳與信号線，是以其做工好壞直接關系着系統穩定性。目前主流記憶體PCB電路闆層數一般是6層，這類電路闆具有良好的電氣性能，可以有效屏蔽信号幹擾。而更優秀的高規格記憶體往往配備了8層PCB電路闆，以起到更好的效能。
SPD隐藏資訊
SPD資訊可以說非常重要，它能夠直覺反映出的性能及體制。它裡面存放着記憶體可以穩定工作的名額資訊以及産品的生産，廠家等資訊。不過，由于每個廠商都能對SPD進行随意修改，是以很多雜牌記憶體廠商會将SPD參數進行修改或者直接COPY名牌産品的SPD，但是一旦上機用軟體檢測就會原形畢露。
是以，大家在購買記憶體以後，回去用常用的Everest、CPU-Z等軟體一查即可明白。不過需要注意的是，對于大品牌記憶體來說SPD參數是非常重要的，但是對于雜牌記憶體來說，SPD的資訊并不值得完全相信。
假冒或返修産品
目前有一些往往使用了不同品牌、型号的記憶體顆粒，大家一眼就可以看出差別。同時有些無孔不入的JS也會采用打磨記憶體顆粒的作假手段，然後再加印上新的編号參數。不過仔細觀察，就會發現打磨過後的晶片比較暗淡無光，有起毛的感覺，而且加印上的字迹模糊不清晰。這些一般都是假冒的記憶體産品，需要注意。
此外，大家還要觀察PCB電路闆是否整潔，有無毛刺等等，是否很明顯有經過插拔所留下的痕迹，如果有，則很有可能是返修記憶體産品（當然也不排除有廠家出廠前經過測試，不過比較少數）。需要提醒大家的是，返修和假冒記憶體無論多麼便宜都不值得購買，因為其安全隐患十分嚴重。
一、開機無顯示
由于記憶體條原因出現此類故障一般是因為記憶體條與主機闆記憶體插槽接觸不良造成，隻要用橡皮擦來回擦試其部位即可解決問題（不要用酒精等清洗），還有就是記憶體損壞或主機闆記憶體槽有問題也會造成此類故障。
由于記憶體條原因造成開機無顯示故障，主機揚聲器一般都會長時間蜂鳴（針對Award Bios而言）
二、windows系統運作不穩定，經常産生非法錯誤
出現此類故障一般是由于記憶體晶片品質不良或軟體原因引起，如若确定是記憶體條原因隻有更換一途。
三、windows系統資料庫經常無故損壞，提示要求使用者恢複
此類故障一般都是因為記憶體條品質不佳引起，很難予以修複，唯有更換一途。
四、windows經常自動進入
此類一般是由于主機闆與記憶體條不相容或記憶體條品質不佳引起，常見于PC133記憶體用于某些不支援PC133記憶體條的主機闆上，可以嘗試在CMOS設定内降低記憶體讀取速度看能否解決問題，如若不行，那就隻有更換記憶體條了。
五、随機性當機
此類故障一般是由于采用了幾種不同晶片的記憶體條，由于各記憶體條速度不同産生一個時間差進而導緻當機，對此可以在CMOS設定内降低記憶體速度予以解決，否則，唯有使用同型号記憶體。還有一種可能就是記憶體條與主機闆不相容，此類現象一般少見，另外也有可能是記憶體條與主機闆接觸不良引起電腦随機性當機，此類現象倒是比較常見。
六、記憶體加大後系統資源反而降低
此類現象一般是由于主機闆與不相容引起，常見于PC133記憶體條用于某些不支援PC133記憶體條的主機闆上，即使系統重裝也不能解決問題。
七、windows啟動時，在載入高端記憶體檔案himem.sys時系統提示某些有問題
此問題一般是由于記憶體條的某些晶片損壞造成，解決方法可參見下面記憶體維修一法。
八、運作某些軟體時經常出現的提示
此現象一般是由于剩餘空間不足造成，可以删除一些無用檔案，多留一些空間即可，一般保持在300M左右為宜。
九、從引導安裝windows進行到檢測空間時，系統提示記憶體不足
此類故障一般是由于使用者在config.sys檔案中加入了emm386.exe檔案，隻要将其屏蔽掉即可解決問題。
十、安裝windows進行到系統配置時産生一個非法錯誤
此類故障一般是由于記憶體條損壞造成，可以按記憶體維修一法來解決，如若不行，那就隻有更換記憶體條了。
十一、啟動windows時系統多次自動重新啟動
此類故障一般是由于記憶體條或電源品質有問題造成，當然，系統重新啟動還有可能是CPU散熱不良或其他人為故障造成，對此，唯有用排除法一步一步排除。
十二、記憶體維修一法
出現上面幾種故障後，倘若記憶體損壞或晶片品質不行，如條件不允許可以用烙鐵将記憶體一邊的各晶片卸下，看能否解決問題，如若不行再換卸另一邊的晶片，直到成功為止（如此焊工隻怕要維修手機的人方可達到）。當然，有條件用示波器檢測那就事半功倍了），采用此法後，因為已将記憶體的一邊晶片卸下，是以記憶體隻有一半可用，例如，64M還有32M可用，為此，對于小容量記憶體就沒有維修的必要了。
1. 将“内部的外存儲器”了解為”記憶體“
這種情況主要是發生在描述移動裝置的内部內建的資料存放空間時。比如一台手機具備8G的資料存儲空間，不少人将其描述為“8G”，事實上，這種表述是錯誤的，因為所謂的“8G記憶體”是一個外。不能将“内部的外存儲器”簡稱為”記憶體，因為記憶體是一個特定的概念，為記憶體儲器的簡稱。
2.将存儲卡的容量稱之為“記憶體”
存儲卡的容量不應當簡稱為“”，因其也是外。