大家好，我是電源漫談，前述文章中，OBC典型拓撲中SiC mosfet不同封裝的性能分析 ，簡單介紹過不同封裝技術給應用帶來的影響，本文簡單介紹一下分立SiC器件，包括SiC MOSFET和SiC DIODE常使用的典型封裝，對其引腳基本參數有一個整體認識，文中的器件均為示例舉例。
一.SiC MOSFET的TO247-4L封裝
圖1 TO247-4L的SiC MOSFET引腳定義
這個封裝的主要特點是除了G,D,S之外，具有一個源極的SENSE pin，可以減少源極寄生電感的影響，對源極驅動的信号源進行開爾文連接配接。這個封裝型号結尾是B4.
圖2 TO247-4L封裝的外形
在封裝外形圖上清楚标注了尺寸之外，還标明了PIN标号的詳細定義。
圖3 TO247-4L的封裝尺寸1
圖4 TO247-4L的封裝尺寸2
圖5 TO247-4L的SiC MOSFET的引腳定義
二．SiC MOSFET的TO247封裝
圖6 TO247的SiC MOSFET引腳定義
這是3 引腳的TO247 SiC MOSFET,這個封裝型号結尾是B.
圖7 TO247封裝的外形
圖8 TO247的封裝尺寸1
圖9 TO247的封裝尺寸2
圖10 TO247的SiC MOSFET的引腳定義
三．SiC DIODE的TO247封裝
圖11 SiC DIODE的TO247封裝及引腳定義
可以看到TO247封裝的SiC DIODE其陰極在右側,且背面的CASE也是陰極。這個封裝型号結尾是B.
圖12 TO247的SiC DIODE的外形尺寸
四．SiC DIODE的TO247 三引腳封裝
圖13 SiC DIODE的TO247三引腳封裝及引腳定義
這裡可以看出，中間一個引腳是共陰極，這個封裝包含兩個SiC DIODE在一個封裝裡面，除了中間的2 PIN是陰極外，背面的CASE也是陰極，這個封裝型号結尾是BCT.
圖14 SiC DIODE的TO247 三引腳封裝外形
圖15 SiC DIODE的TO247 三引腳封裝尺寸1
圖16 SiC DIODE的TO247 三引腳封裝尺寸2
圖17 SiC DIODE的TO247 三引腳封裝引腳定義
五．SiC DIODE的TO220封裝
圖18 SiC DIODE的TO220封裝
這個封裝就兩個PIN,右側為陰極，左側為陽極，且背面CASE為陰極。這個封裝型号結尾是K.
圖19 SiC DIODE的TO220封裝外形
六．SiC MOSFET的D3PAK封裝
圖20 SiC MOSFET的D3PAK封裝及引腳定義
這個封裝是一個貼片封裝，又稱之為TO-268封裝，其引腳定義和TO247-3的SiC MOSFET相似，但是2腳的Drain級不能直接貼片焊接。注意背面的CASE是Drain。這個封裝型号結尾是S.
圖21 D3PAK的SiC MOSFET外形及引腳定義
圖22 SiC MOSFET的D3PAK封裝尺寸及引腳定義
七．SiC MOSFET的SOT227封裝
圖23 SiC MOSFET的SOT227封裝及引腳定義
這個封裝有兩個S端子，D和G端子各有一個。這個封裝型号結尾是J.
圖24 SiC MOSFET的SOT227封裝外形尺寸
這裡我們可看到，對于兩個S端子來說，其内部是短接在一起的，兩個S端子的電流處理能力相當。
八．SiC DIODE的D3PAK封裝
圖25 SiC DIODE的D3PAK封裝及引腳定義
注意這個封裝和D3PAK的SiC MOSFET差異是中間一個引腳沒有意義了，隻有兩個引腳表示二極管陽極和陰極，且背面的CASE是陰極。這個封裝型号結尾是S.
圖26 SiC DIODE的D3PAK外形及引腳定義
圖27 SiC DIODE的D3PAK尺寸1
圖28 SiC DIODE的D3PAK尺寸2
九．SiC DIODE的SOT227封裝
圖29 SiC DIODE的SOT227封裝及引腳定義
注意SOT227的SiC DIODE封裝裡面，包含兩個SiC DIODE，類似于TO247的三引腳封裝，但是SOT227封裝中的兩個DIODE并沒有互相相連，且有兩種封裝形式，一種是同向放置，另一種是反向放置。這個封裝型号結尾是J.
圖30 SiC DIODE的SOT227封裝外形及尺寸
注意，此處尺寸為毫米或者英寸，英寸在括号内。
十．SiC MOSFET的D2PAK封裝
圖31 SiC MOSFET的D2PAK封裝及引腳定義
D2PAK是一個比D3PAK更小的貼片封裝，它另一個名字是TO263-7,這裡有七個引腳，1為Gate，2為Source Sense，3-7均為Source，背面CASE為Drain。這個封裝型号結尾是SA.
圖32 SiC MOSFET的D2PAK封裝外形及引腳定義
圖33 SiC MOSFET的D2PAK封裝尺寸
圖34 SiC MOSFET的D2PAK封裝引腳定義
十一.SiC DIODE的T-MAX封裝
圖35 SiC DIODE的T-MAX封裝及引腳定義
這種T-MAX封裝将二極管的陰極引腳做的寬一些，且背面CASE也是陰極。左側為陰極，右側引腳為陽極，這和普通的TO220封裝的SiC DIODE一樣。這個封裝型号結尾是B2.
圖36 SiC DIODE的T-MAX封裝外形及引腳定義
圖37 SiC DIODE的T-MAX封裝尺寸及引腳定義
除了上述的典型封裝外，還有一種較新的TOLL封裝，即TO-LeadLess封裝，這種封裝比較适合高功率密度的場合，體積較小，比D2PAK的面積節省30%，比D2PAK的體積小60%。同時它也是一種四引腳封裝，和TO247-4L類似，可以減小源極電感，栅極驅動進行開爾文連接配接，發揮SiC MOSFET的高速性能，此處就不多做簡介。
本文對作者所看到的一些典型封裝做梳理，可能還有遺漏，有疑問請讀者私信讨論。
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電源漫談電源漫談，知名美國半導體公司主任應用工程師，985碩士，多年電源研發經驗。内容主要為電源設計基礎，數字控制電源，基于單片機的混合型電源，單片機嵌入式設計，寬禁帶功率電子等電源相關話題原創文章及讨論，緻力于電源知識及電力電子應用的原創分享。91篇原創内容
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