控制回路消耗的功率非常少，因為G端沒有電流，輸入電阻非常高。同時隻有一種粒子在導電，受溫度影響比較小（少子不參與），溫度穩定性強。
源極是載流子的發源地，漏極是載流子的露出處.因為一般會把襯底和源極接在一起（漏極和源極沒有差別，襯底接在哪裡哪個就是源極）
三極管有兩大作用：開關作用和放大作用
上圖中a的耗盡層為什麼擴大？
因為Ugs加電壓，SiO2上面全是正離子，是以把絕緣層下面的正離子都踢走了，下面又是P型半導體，空穴占多數。所有那一片自由電子和空穴都非常少，稱為耗盡層.
因為在NPN的MOS管的溝道中，自由電子占多數，是以是N溝道，溝道的寬度跟UGS的大小相關，UGS越大，溝道越寬。
溝道的寬窄決定電阻的大小，越寬電阻越小。
用電壓得到了一個可變電阻器。是以可以用Ugs控制Rds.
上圖中的Ugs越大,反型層越寬，當加了Uds後，之間電壓變小，反型層越小.靠近d端的電壓是Ugs-Uds,是以變小了 但是在沒有封閉之前，阻值保持不變。
預夾斷之後會進入動态平衡，不會真的夾斷，有一條縫隙，Uds再加大，縫隙變長，Id不變，Uds的增大全用來克服夾斷區對漏極電流的阻力了。
UGS<UGS(th)是截止，反之有兩種狀态，如果Uds不是很大的話（Uds<Ugs-Ugs(th)）,在可變電阻區。當Ugs-Uds<Ugs(th)，在恒流區
Ugs在預夾斷之後進入恒流區，可以控制Id。
增強型什麼意思？
回答：一定要Ugs>Ugs(th)才能導通