模拟電子技術基礎 上海交大 鄭益慧老師主講【版本二】通俗易懂 難得的課程 強烈推薦 北航921必備 上交大模電_哔哩哔哩_bilibili
共射極的回路？
輸入信号的變化控制Ib的變化，Ib控制Ic的變化，Ic變成受控能量的輸出。Ib這個環節是輸入信号控制的。
三極管的輸入伏安特性曲線跟PN結的伏安特性曲線相類似
Ic和Ib要成比例，要發射結正偏，集電結反偏，這樣半導體就工作在放大區。
三極管的輸入伏安特性曲線公式：Ib = F(Ube)|uce=常數，所有輸入伏安特性曲線是一簇線。注意Uce是管壓降
在Uce<1V時，随着Uce的增大，曲線向右移。
原理：随着Uce的增大，加在集電區的反向電壓也增大，使得從發射區到基區的非平衡少子更多的向集電區移動。造成基區的複合減少，Ib也就相應減少，如果要Ib不變，就必須，就必須增大Ube。
比喻：基區就像一條河，其中的空穴就像鳄魚，從發射區過來的自由粒子像遷徙的動物。速度一定的情況下，那麼能夠成功過河的動物和被鳄魚吃掉的動物比例一定。就像Ib和Ic成比例。Ic=β*Ib.
如果Uce增大，動物就跑得越快，鳄魚吃掉的動物就少(Ib減少)，Ic增大。
三極管在飽和區的時候有 Uces是飽和電壓，三極管集電極與發射極之間的飽和電壓。Ge管大概是0.1V,矽管大概是0.3V.
判斷正反偏？先求Ib，然後求Icmax,Icmax=（Vcc-Uces）/Rc，如果βIb<Icmax,上面Ic能夠跟着ib的變化，在放大區，βIb>Icmax,在飽和區,隻能進飽和區，如果在放大區，Ic就要大于Icmax了。
飽和區的了解：這是相對于基區來說的，基區飽和了。根據這個解釋，是不是說飽和就是基區載流子很多，基極和集電極隻能拿走基極中載流子的一部分，載流子供應充足.是以Ib*β是大于Ic的。
而處于放大狀态時，基區的載流子存貨就幾乎沒有了，都是按比例分給集電極和基極了
問題：
①為什麼三極管兩個結正偏相當于導體，電流等于Uce/Rc？
因為集電結正偏，集電區的收集作用沒有了，隻有自由擴散
為什麼共基電路的輸入接在發射極？
由上圖可知，輸入信号要能夠影響Ube的變化，如果接在集電極影響不了。
③半導體極限(主要)參數
④畫基本放大電路