根據CASA資料預測，SiC襯底和外延随着産業技術逐漸成熟（良率提升）和産能擴張（供給提升），預計襯底價格将以每年8%的速度下降。
SiC襯底及外延片價格
SiC襯底價格發展趨勢（RMB/cm²）
6寸導電型碳化矽村底價格随良率提升而逐年降低，2022-25年價格分别為6600/6300/6000/5500元/片。
2022年6寸半絕緣型碳化矽襯底價格約7000元/片，2025年有望降低到6000元/片。
SiC 襯底、器件、外延片市場規模預測
SiC外延片國産率低的主要原因：
- 進口外延爐供貨短缺
- 國産外延爐有待驗證
- 外延片量産品質不穩定（濃度、厚度一緻性），難量産
碳化矽外延片價格發展趨勢(RMB/cm^2)
國内外SiC襯底份額現狀
SiC裝置、制造現狀
SiC長晶：工藝難點在于溫度控制，熱場材料仍依賴進口
SiC長晶：工藝難點在于溫度控制，熱場材料仍依賴進口
SiC外延爐：CVD成本适中&品質好&生長速度快，是主流外延技術
SiC外延爐：CVD成本适中&品質好&生長速度快，是主流外延技術
SiC劃片：SiC晶圓硬度高、脆性大、韌性低，傳統晶圓機械切割容易造成較多缺陷。基本采用雷射切割劃片
SiC切片：未來金剛線切割和雷射切割将替代砂漿線成為主流技術
未來金剛線切割和雷射切割将替代砂漿線成為主流技術
其它SiC裝置
其它SiC裝置還包括研磨、抛光、改質、切片、氧化退火、減薄等很多裝置，這裡不一一列舉。