經曆一系列挫折後，三星正在迎頭趕上，試圖挑戰SK海力士在HBM（高帶寬記憶體）晶片市場中的霸主地位。
7月30日，據媒體援引知情人士報道，在搶奪HBM市場方面三星取得重大進展，公司一款HBM3晶片獲得AI巨頭英偉達的認證。三星預計，公司下一代HBM3晶片也将在2-4個月内獲得準許。大摩分析師也極力看好三星股價，他們認為到明年三星至少再搶占10%HBM市場，屆時收入将激增。
這一結果，三星盼了許久。據悉自2023年以來，三星一直在努力通過英偉達對HBM3和HBM3E等産品的認證。
今年早些時候，有關三星HBM沒能經過英偉達驗證、三星HBM良率過低等讨論出現在多家媒體報道中。三星也遲遲沒有拿到英偉達的訂單。英偉達目前拿下全球AI GPU市場超過80%的市占率，打入英偉達的HBM供應鍊極為重要。
然而，三星的對手SK海力士卻一直是英偉達HBM晶片的最大供應商。AI浪潮中英偉達掙得盤滿缽滿，SK海力士的業績也是水漲船高。
盡管三星是業内最大的記憶體晶片制造商，但在HBM領域，它卻落後于全球第二大記憶體制造商SK海力士。據市場研究公司TrendForce稱，SK海力士去年以53%的市場佔有率在HBM市場領先，其次是三星電子（38%）和美光（9%）。
不過，三星正在奮力扭轉這一局面。
大摩：2025年，三星的HBM市場佔有率至少會增加10%
據摩根士丹利的報告，HBM市場規模預計将從去年的40億美元增至2027年的710億美元。三星越快得到AI巨頭英偉達的支援，它從這一增長中獲得的收入就越多。
“投資者對三星的看法可能很快就會改變，情況正在迅速改善。”摩根士丹利分析師Shawn Kim和Duan Liu在本月的一份研究報告中寫道。
這兩位分析師在報告中将三星列為首選股票，因為他們認為，到2025年，三星的HBM市場佔有率至少會增加10%，收入将增加約40億美元。
目前，微軟、谷歌、亞馬遜、蘋果和Meta等一衆科技巨頭正在加大對AI的投入，未來HBM的市場需求必定激增。Sanford C. Bernstein的分析師在7月的一份報告中表示，英偉達将在2025年之前幾乎所有産品中繼續使用HBM3E，晶片競争對手甚至在2026年也将繼續使用。
根據季度報告中的詳細資訊，三星自去年下半年以來一直在生産HBM3晶片。知情人士稱，三星已開始向英偉達供應HBM3，用于其H20晶片。
改變落後局面，三星一舉撤換半導體上司人
在HBM等領域的落後也促使三星撤換了半導體上司人。今年5月，擁有豐富經驗的Jun Young-hyun臨危受命，承擔存儲巨頭研發和向英偉達出售HBM晶片的重任。
據悉，當時三星HBM出現散熱與功耗問題。消息人士稱，三星在解決所謂的熱耦合問題上遇到了麻煩。HBM由一組DRAM晶片堆疊而成，最新一代堆疊高度達到八層。每一層都會産生大量熱量，然後與英偉達的GPU相配合，而GPU本身可以達到100攝氏度。沒有适當的散熱和冷卻材料，整個堆棧有融化的風險。
Jun Young-hyun擔任三星半導體上司人後，積極尋找上訴問題的解決方案。這位63歲的高管召集了一系列會議，探讨技術細節并找出問題的根源。
最終，三星公司修改了HBM設計以解決散熱和功耗問題。消息人士稱，這導緻了三星HBM3獲得英偉達的準許。
三星表示，自Jun Young-hyun接任以來，公司優先考慮了集體讨論和解決問題的文化。公司補充稱，其HBM産品在散熱和功耗方面沒有問題，且并未為特定客戶進行設計更改。
“我們從未見過三星處于這種境地”，研究公司Tirias Research的分析Jim McGregor說道，“業界和英偉達比任何人都更需要三星，但他們需要三星全力以赴”。
“霸主”SK海力士并未松懈，三星道阻且長
當下，三星的競争對手SK海力士并未松懈。作為英偉達HBM晶片主要供應商，SK海力士股價自2023年初以來飙升了超過150%，是三星股價表現的三倍多。
上周，SK海力士表示正在加快生産HBM3E産品，以實作超過300%的增長。公司還表示計劃在本季度開始大規模生産下一代12層HBM3E晶片，并在第四季度開始向客戶供應。
另外，美光科技今年早些時候宣布，英偉達已準許其HBM3E晶片用于公司的AI裝置。美光和SK海力士的夾擊之下，三星壓力山大。
不過，分析稱，三星擁有一個顯著優勢，即其财務資源和生産能力。一旦滿足英偉達的準許标準，三星可以快速提升産量，解決困擾英偉達和其他AI支援者的短缺問題。
分析師Silverman表示：“美光和海力士目前沒有能力支援整個市場。”英偉達首席執行官黃仁勳希望鼓勵各家HBM供應商，因為市場需要更多的供應。知情人士表示：“英偉達正在向SK海力士施壓，要求其增加供應量，但随着HBM3E和上一代HBM3的投産，可用産能已接近飽和。”
在Jun Young-hyun的上司下，三星正在取得進展。公司開發了自己的12層HBM3E技術，并正在努力獲得英偉達對該代晶片以及8層HBM3E的準許。
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