二極管結構
二極管基本結構是：由一個PN結及所在半導體加上電極引線和封裝構成；如下圖所示。
1. 陰極/陽極；
2. 外殼；
3. 引線。
根據二極管的具體結構，我們可将它分為：點接觸型，面接觸型，矽平面型3種。
如下圖所示，我們一般在數字電路中使用最多的是矽平面型二極管，而其它兩種結構的二極管也有不同的應用場景。
1. 點接觸型結構特點：結面積小，是以結電容和允許通過的電流小。
點接觸型二極管由于其寄生電容（結電容）小，而适用于高頻電路，是以其一般應用于高頻小信号的檢波、整流、調制、混頻和限幅等。
2. 面接觸型結構特點：結面積大，是以結電容和允許通過的電流大。
面接觸型二極管不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于低頻整流/大電流開關、脈沖及低頻電路中。
3. 矽平面型結構特點：結面積大的适用于大功率整流。
平面型結二極管的結面積小、結電容小，同時能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。
二極管基本參數
我們知道二極管最重要的參數莫過于其單向導通性，即二極管的正常工作狀态：隻能從二極管的正極（陽極）流入，負極（陰極）流出。
是以單向導通性可分為：正向特性和反向特性。
1. 正向特性：正極接在高電位端，負極在低電位端的連接配接方式稱為正向偏置。
1, 正向電壓小于Vth時：二極管正向電壓小于PN結内建電場大小，PN結電場被逐漸克服，電流随電壓線性增加（小注入）。
此時雖然二極管正向電壓 < Vth，但是二極管并非沒有電流流過，而是會産生部分電流。
2, 正向電壓大于Vth時：此時二極管處于正常導通狀态，PN結電場被完全削弱，二極管導通壓降不變，電流随電壓指數增加（電導調制）。
此時二極管的正向導通，由于電導調制效應，進入“大注入”電流狀态。
2. 反向特性：正極接在低電位端，負極在高電位端的連接配接方式稱為反向偏置。
1, 反向電壓在0V-Ubr範圍：此時二極管處于反向截止狀态，由于反向電壓小，是以反向電流也很小，反向漏電流受溫度影響比較大。
溫度每升高10℃，電流增加4倍；反向漏電流取決于半導體中的少子濃度，而少子的濃度主要取決于溫度。
2, 反向電壓大于Ubr：此時二極管處于反向擊穿狀态，由于電壓大于反向擊穿電壓，二極管失去單向導向性，反向電流突然大增（指數級增加）；
3, 反向電壓繼續增大或則過壓時間更長：此時會導緻二極管擊穿損壞，損壞主要是由于器件過熱導緻。
我現在的疑問是，在這些狀态中 “反向截止區”的電流是如何産生的呢？
1. “反向截止區”的PN結狀态：如下圖所示，此時PN結外部加反向電壓（P區負，N區正），外加電場與空間電荷區電場疊加，空間電荷區範圍變大。
2. 此時由于空間電荷區區域變大，必然會産生更多的電子-空穴對：由于反偏空間電荷區有強大的電場（電子濃度和空穴濃度為0），這些本征激發出來的電子-空穴對一經産生，就被電場掃出了空間電荷區：空穴去P區，自由電子去N區。
這部分電荷流動的方向為反偏電流方向，形成反向電流。